四、三种统计速率例9 容器内盛有理想气体,其密度为1.24 ×10-2 kg/m-3 ,温度为273K,压强为1.0×10-2 atm,试求:(1)气体的方均根速率。(2)气体的摩尔质量M,并确定它是什么气体?(3)气体分子的平均平动动能和平均转动动能各为多少?(4)容器单位体积内分子的总平均平动动能为多少?(5)若该气体有0.3摩尔,其内能是多少?

11-14 一侧面绝热的气缸内盛有11mol的单原子分子理想气-|||-体。气体的温度 _(1)=273K, 活塞外气压 _(0)=1.01times (10)^5Pa, 活塞-|||-面积 =0.02(m)^2, 活塞质量 m=102kg (活塞绝热、不漏气且与-|||-气缸壁的摩擦可忽略)。由于气缸内小突起物的阻碍,活塞起初停-|||-在距气缸底部为 _(1)=1m 处。今从底部极缓慢地加热气缸中的气-|||-体,使活塞上升了 _(2)=0.5m 的一段距离,如习题 11-14 图所示。-|||-试通过计算指出:-|||-(1)气缸中的气体经历的是什么过程?-|||-(2)气缸中的气体在整个过程中吸了多少热量?-|||-P0-|||-S-|||-习题 11-14 图

4.在真空中沿着z轴负方向传播的平面电磁波,电场强度波的方程为 _(y)=-|||--754cos [ omega (t-dfrac (pi )(u))+pi ] (SI), 则磁场强度波的方程为 ()-|||-(A) _(x)=2.0cos [ omega (t-dfrac (z)(u))+pi ] (SI)-|||-(B) _(x)=-2.0cos [ omega (t-dfrac (z)(u))+pi ] (SI)-|||-(C) _(x)=754cos [ omega (t-dfrac (z)(u))+pi ] (SI)-|||-(D) _(x)=2.0cos [ omega (t+dfrac (z)(u))+pi ] (SI)

6.在如图所示的夫琅禾费单缝衍射实验中,将单缝宽度b稍稍变窄,同时使单缝向上作微小-|||-移动,则屏幕E的中央衍射条纹将 ()-|||-(A)变窄,同时上移 L E-|||-(B)变窄,同时下移 λ bi一-|||-(C)变宽,不移动 f-|||-(D)变宽,同时上移 第6题图

用手把弹簧拉长的过程中,-|||-弹性力作负功,弹性势能减小。-|||-这一说法是: ()-|||-A)正确-|||-B) 错误

如何判断材料的电导是离子电导或是电子电导？试说明其理论依据。1）材料的电子电导和离子电导具有不同的物理效应，由此可以确定材料的电导性质。利用霍尔效应可检验材料是否存在电子电导；利用电解效应可检验材料是否存在离子电导。2）霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下，产生横向移动的结果，离子的质量比电子大得多，磁场作用力不足以使它产生横向位移，因而纯离子电导不呈现霍尔效应。3）电解效应（离子电导特征）离子的迁移伴随着一定的物质变化，离子在电极附近发生电子得失，产生新的物质。由此可以检验材料是否存在离子电导。名词解释________________________：一个能级被电子占用时成中性，不被电子占据时带正电；________：一个能级不被电子占据时成中性，被电子占据时带负电；________________：描述电路中某点电流强弱和流动方向的物理量，矢量，大小等于单位时间内通过垂直于电流方向单位面积的电量，正电荷流动方向为正方向；________：介质中该量与电场强度之积等于传导电流密度；即电阻率的倒数，物理意义表示物质导电性能；________电介质的极化：电介质在电场作用下，在介质内部感应出偶极矩、介质表面出现束缚电荷的现象称为电介质的极化。或在介质中起主要作用的是被束缚的电荷，在电场作用下，正负电荷可以逆向移动，但它们并不能挣脱彼此的束缚而形成电流，只能产生微观尺度的相对位移，即电极化。________________________在外电场作用下电介质所产生的与场强二次方成正比的应变，称为电致伸缩效应。这种效应是由电场中电介质的极化所引起，并可以发生在所有的电介质中。________________________________——元素的热容定律：恒压下元素的原子摩尔热容为25J/(K*mol),即3RD________：材料在循环应力或渐增应力作用下的延时破坏；________________：投射到物体上面被反射的辐射能与投射到物体上的总辐射能之比；________________________：实际材料中总存在许多细小裂纹或缺陷，在外力作用下这些裂纹和缺陷附近产生应力集中现象，当应力达到一定程度时，裂纹开始扩展导致断裂，故断裂不是两部分晶体同时沿整个界面拉断，而是裂纹扩展的结果；________________：晶格中所有原子以相同频率振动形成的波，或某原子在平衡位置附近的振动是以波的形式在晶体中传播形成的波；H霍尔效应：在一个长方体导体的x轴方向，加一密度为Ix的电流，z方向加一磁感应强度为Bz的磁场。则在导体的y方向将产生一个大小为Ey的电场，这种效应成为霍尔效应。________________：单位介质体积内的电偶极矩总和P，P=Σu/v；J介电常数：介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数。J介电损耗：陶瓷介质在电导和极化过程中有能量消耗，一部分电场能转变为热能。单位时间内消耗的电能叫介质损耗。________________：晶体中原子以平衡位置为中心不停地振动，是产生热容、热膨胀等现象的物理基础；________________(亚临界生长)：裂纹在使用应力下，随着时间的推移而缓慢扩展，这种缓慢扩展也称亚临界生长或静态疲劳；________________：热冲击循环作用下，材料表面开裂、剥落并不断扩展，最终破裂或变质，抵抗这类破坏的性能；________________化合物分子热容等于构成该化合物各元素原子热容之和。________________：受力后极易变形，剪切力跟速度梯度成正比符合牛顿定律的的流体；________________：在一定空间范围内，单位面积取得的或单位重量能源产生的某种能源的能量或功率，是评价能源的主要指标；________________：在电介质极化方向施加电场，这些电介质会发生形变，电场去掉后，电介质形变消失；________________：粘性液体在流动时，在其分子间产生摩擦的性质，大小用粘度表示，是用来表征液体性质相关的阻力因子；________________：材料发生瞬间断裂，抵抗这类破坏的性能；________________(________)：是指单位温度梯度下，单位时间内通过单位垂直面积的热量，单位是w/m2.k；________________：物体由于温度改变而有胀缩现象，其变化能力以等压下，单位温度所导致的体积变化来表示；________________：材料承受温度急剧变化而不致破坏的能力，又称抗热震性；R热应力由于材料热膨胀或收缩引起的内应力________________：材料的折射率随随入射光频率的减小或波长的增大而减小的现象；________________：晶格振动能量的量子化单元hw称为声子，h为普朗克常数，w为晶格振动的角频率，对应每一次晶格热振动，晶体内部产生或吸收一个声子，声子是虚拟粒子，是原子激发的形态之一；________________光进入非均质介质时，一般要分为振动方向相互垂直、传播速度不等的两个波，它们构成两条折射光线的现象________________：在一些介质晶体中，晶胞的结构使正负电荷中心不重合而出现电偶极矩，产生不等于零的电极化强度，使晶体具有自发极化；________________：是个综合指标，即光能通过陶瓷材料后剩余光能所占百分比；T________：散射前后，光的波长（或光子能量）不发生变化的散射。T弹性模量弹性模量E随原子间距R的减小，近似的存在以下关系：E=k/Rm________________(________)：由于两种不同的电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间电压差的热电现象，________：半导体材料的两端如果有温度差，则在较高温度区有更多的电子被激发到导带中去，但热电子趋向于扩散到较冷的区域，当这两种效应引起的化学势梯度和电场梯度相等其方向相反时，就达到稳定状态，多数载流子扩散到冷端，产生△V/△T，结果在半导体两端就产生温差电动势；________________：a.指对电压变化敏感的非线性电阻效应，即在某一临界电压以下，电阻值非常之高，几乎无电流通过，超过该临界电压，电阻迅速降低，让电流流过。b.是一种晶界效应，当电压低时，由于热激励电子，必须超过势垒而流过，电压加到一定程度，晶界面上捕获电子，由于隧道效应，通过势垒造成电流急剧增大，从而出现异常的非线性效应；________亚晶格间隙扩散：某一间隙离子取代附近的晶格离子，被取代的晶格离子进入晶格间隙，从而产生了离子移动。________________对某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移，产生极化，从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷。在一定应力范围内，机械力与电荷呈线性可逆关系，这种现象称为压电效应或正压电效应________弹性系数Ks的大小实质上反映了原子间势能曲线极小值尖峭度的大小。对于一定的材料它是个常数，它代表了对原子间弹性位移的抵抗力即原子结合力________________：载流子在单位电场作用下的平均漂移速率，即载流子在电场作用下运动速度的快慢量度________________________：价控型BaTiO3半导体在居里点(正方相↔立方相相变点)附近，电阻率随温度而发生突变的现象，机理是几何半导体陶瓷晶界上具有表面能级，此表面能级可捕获载流子，从而在两边晶粒内产生一层电子损耗层，形成肖特基势垒，该势垒与介电常数有关，当温度高于居里点，介电常数剧减，势垒增加，电阻率增加；________________：某些电介质在一定方向上受到外力作用而变形时，内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反电荷，当外力去掉后，会恢复到不带电状态；________________：单位电场强度下，质点电偶极矩的大小称为质点极化率，α=u/E，u电偶极矩，E为作用在微观质点的局部电场，α表征材料计划能力，只与材料性质有关；

下列说法正确的是()A. 存在变化的电场的区域内,不一定存在位移电流。B. 变化的电场所产生的磁场一定随时间变化。C. 位移电流不会产生焦耳热。D. 位移电流和传导电流都能产生磁场。

12.如图所示,图中曲线可以是某时刻的驻波波形,也可以是某时刻的行波波形,其中λ为波-|||-长.就驻波而言,a,b两点间的相位差为 __ 就行波而言,a,b两点间的相位差为-|||-__-|||-y↑-|||-A-|||-a b-|||-O 3/4 x-|||--A-|||-第12题图

16.用波长 lambda =600m 的单色光垂直照射在由两块玻璃板(一端刚好接触成为劈尖)构成的-|||-空气劈形膜上,劈尖角 theta =3times (10)^-4rad. 如果劈形膜内充满折射率为 n=1.4 的液体,求从-|||-棱边数起第四条明条纹在充入液体前后对应的膜的厚度差和条纹移动的距离.

11.两玻璃片中夹满水(水的折射率 =dfrac (4)(3) 形成一劈形膜,用波长为λ的单色光垂直照射其-|||-上,若要使某一条纹从明变为暗,则需将上面一片玻璃向上平移 __ .