4、 静电危害半导体的途径通常有哪几种？

考查要点：本题主要考查对静电危害半导体途径的理解，需要掌握静电在不同情境下如何对半导体器件造成损害。

解题核心思路：
静电危害半导体的途径可以从静电的来源和作用方式两个角度分析。关键在于理解静电放电、电磁感应以及静电积累对半导体器件的破坏机制。

破题关键点：

1. 人体静电放电：人体活动产生的静电直接放电损坏器件。
2. 电磁感应：外界电磁场变化引发器件内部电流突变。
3. 器件自身静电积累：器件表面因摩擦等带电导致内部电路失效。

（1）人体带电使半导体损坏

人体在活动时通过摩擦或接触带电物体可能积累静电，当接触半导体器件时，静电放电（ESD）会瞬间释放大量电荷，导致器件击穿或性能退化。

（2）电磁感应使器件损坏

外界电磁场（如设备运行时产生的电磁波）通过电磁感应在半导体器件内部产生感应电流。若电流超过器件耐受范围，会导致器件烧毁。

（3）器件本身带电使器件损坏

半导体器件在制造、运输或装配过程中可能因摩擦、分离等过程自身带电。当带电达到临界值时，会发生静电放电，造成器件内部结构损坏。