扩散硅压力传感器的工作原理是基于（ ）。A. 压电效应B. 压阻效应C. 应变效应D. 霍尔效应

考查要点：本题主要考查扩散硅压力传感器的工作原理，需要明确其核心物理效应。
解题关键：

1. 压阻效应是半导体材料在受力时电阻率发生变化的现象，这是扩散硅传感器的核心原理。
2. 区分概念：压电效应（电荷变化）、应变效应（形变测量）、霍尔效应（磁场作用）均与压力直接关联性较低，可排除。

扩散硅压力传感器的工作原理基于压阻效应。具体过程如下：

1. 压力传递：外部压力通过隔离膜片传递到硅芯片。
2. 微小形变：硅芯片发生微小形变，导致内部扩散的电阻条几何尺寸改变。
3. 电阻变化：电阻条的电阻值因形变而变化，形成与压力相关的电信号。
4. 信号输出：通过测量电路将电阻变化转换为标准电信号输出。

选项分析：

• A. 压电效应：涉及电荷产生，常见于压电陶瓷，与电阻变化无关。
• C. 应变效应：侧重形变测量，通常需外接应变片，非直接电阻变化。
• D. 霍尔效应：与磁场相关，与压力无直接联系。