题目
以下关于杂质半导体的描述,正确的是()。A. P型半导体带正电,N型半导体带负电。B. 在N型半导体中,空穴浓度大于自由电子浓度。...C. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。D. 与多数载流子相比,少数载流子的浓度受温度影响大。
以下关于杂质半导体的描述,正确的是()。
A. P型半导体带正电,N型半导体带负电。
B. 在N型半导体中,空穴浓度大于自由电子浓度。...
C. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
D. 与多数载流子相比,少数载流子的浓度受温度影响大。
题目解答
答案
CD
C. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
D. 与多数载流子相比,少数载流子的浓度受温度影响大。
C. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
D. 与多数载流子相比,少数载流子的浓度受温度影响大。
解析
步骤 1:理解杂质半导体的性质
杂质半导体分为P型和N型。P型半导体中,空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子;N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。半导体的电中性原则决定了半导体整体不带电。
步骤 2:分析选项A
选项A说P型半导体带正电,N型半导体带负电。这是错误的,因为半导体整体是电中性的,即使掺杂了杂质,半导体也不会带电。
步骤 3:分析选项B
选项B说在N型半导体中,空穴浓度大于自由电子浓度。这是错误的,因为N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子,所以自由电子浓度大于空穴浓度。
步骤 4:分析选项C
选项C说在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。这是正确的,因为掺杂的杂质决定了多数载流子的浓度。
步骤 5:分析选项D
选项D说与多数载流子相比,少数载流子的浓度受温度影响大。这是正确的,因为少数载流子的浓度主要由热激发产生,温度升高会增加热激发,从而增加少数载流子的浓度。
杂质半导体分为P型和N型。P型半导体中,空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子;N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。半导体的电中性原则决定了半导体整体不带电。
步骤 2:分析选项A
选项A说P型半导体带正电,N型半导体带负电。这是错误的,因为半导体整体是电中性的,即使掺杂了杂质,半导体也不会带电。
步骤 3:分析选项B
选项B说在N型半导体中,空穴浓度大于自由电子浓度。这是错误的,因为N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子,所以自由电子浓度大于空穴浓度。
步骤 4:分析选项C
选项C说在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。这是正确的,因为掺杂的杂质决定了多数载流子的浓度。
步骤 5:分析选项D
选项D说与多数载流子相比,少数载流子的浓度受温度影响大。这是正确的,因为少数载流子的浓度主要由热激发产生,温度升高会增加热激发,从而增加少数载流子的浓度。