4.[判断题]PN结内的漂移电流是少数载流子在内-|||-电场作用下形成的。() ()-|||-A 对-|||-B 错

PN结的漂移电流是半导体物理中的重要概念。本题考查对漂移电流形成机制的理解。关键点在于：

1. 漂移电流的定义：载流子在内电场作用下的定向运动形成的电流。
2. 少数载流子的作用：在PN结中，P区的少数载流子是电子，N区的少数载流子是空穴，它们在内电场作用下发生漂移。
3. 与扩散电流的区别：扩散电流由多数载流子的浓度梯度驱动，而漂移电流由少数载流子的电场驱动。

漂移电流的形成过程

1. 内电场的建立：PN结形成后，耗尽层内的电场方向由N指向P。
2. 少数载流子的漂移：
   • P区的电子（少数载流子）在内电场作用下向N区漂移。
   • N区的空穴（少数载流子）在内电场作用下向P区漂移。
3. 电流方向：电子的漂移方向与电场方向相反，空穴的漂移方向与电场方向一致，最终形成与扩散电流方向相反的漂移电流。

判断依据

题目明确指出漂移电流由少数载流子在内电场作用下形成，与上述分析完全一致，因此答案正确。