P 型半导体中多子为电子,少子为空穴。()A. 正确B. 错误

本题考查半导体类型的基本概念，特别是对P型半导体中载流子类型的理解。解题的关键在于明确：

1. 半导体掺杂类型：P型半导体通过受主杂质（如硼、铝）掺入，产生空穴作为多数载流子。
2. 多子与少子的定义：多子是掺杂后浓度显著增加的载流子，少子是浓度相对减少的载流子。

题目中将P型半导体的多子与少子颠倒，需结合半导体基本原理判断。

P型半导体的形成与载流子分析：

1. 掺杂过程：P型半导体掺入受主杂质（如硼），其原子缺少一个电子，与半导体晶格结合后形成空穴。
2. 多数载流子：受主杂质释放空穴，使空穴浓度显著高于电子浓度，因此空穴是多子。
3. 少数载流子：电子需通过本征激发或杂质电离产生，浓度较低，因此电子是少子。

题目中描述“P型半导体多子为电子，少子为空穴”与上述结论矛盾，故答案为错误。