8.一无限长载流圆柱体,半径为R,电流I在圆柱-|||-体的横截面上均匀分布,则在圆柱体内距离中心轴线-|||-为r处的磁感应强度大小为 () 。-|||-(A) =dfrac ({mu )_(0)I}(2pi r)-|||-(B) =dfrac ({mu )_(0)Ir}(2pi {R)^2}-|||-(C) =dfrac ({mu )_(0)I(r)^2}(2pi {R)^3}-|||-(D) =dfrac (sqrt {2)(mu )_(0)Ir}(2pi {R)^2}-|||-二、填空题

本题考查安培环路定理在无限长载流圆柱体内部磁场的应用。

关键分析：

无限长载流圆柱体的磁场需分内部（$r < R$）和外部（$r \geq R$）两种情况讨论：

1. 外部磁场（$r \geq R$）：此时安培环路包围的总电流为$I$，由安培环路定理$\oint \vec{B} \cdot d\vec{l} = \mu_0 I_{\text{enc}}$，得$B \cdot 2\pi r = \mu_0 I$，故$B = \frac{\mu_0 I}{2\pi r}$（选项A为外部磁场公式）。
2. 内部磁场（$r < R$）：电流均匀分布，电流密度$j = \frac{I}{\pi R^2}$。安培环路包围的电流$I_{\text{enc}} = j \cdot \pi r^2 = \frac{I r^2}{R^2}$。代入安培环路定理：$B \cdot 2\pi r = \mu_0 \cdot \frac{I r^2}{R^2}$，解得$B = \frac{\mu_0 I r}{2\pi R^2}$。