杂质进入半导体后,从一个原子间隙到另外一个原子间隙逐级跳跃前进的扩散方式是()。...A. 替代扩散、)B. 两步扩散()C. 间隙扩散D. 跳跃扩散

本题考查半导体中杂质扩散方式的分类，核心在于理解不同扩散机制的特点。关键点在于区分间隙扩散与替代扩散：

• 间隙扩散：杂质原子占据晶格的间隙位置，通过间隙位点间的跳跃移动。
• 替代扩散：杂质原子替代晶格中原有原子的位置，通过相邻晶格位点的跳跃。

题目明确描述杂质在“原子间隙”间逐级跳跃，因此直接对应间隙扩散的定义。

间隙扩散的特征是：

1. 占据间隙位点：杂质原子位于晶格原子之间的空隙位置。
2. 跳跃迁移：通过相邻间隙位点的逐级跳跃实现扩散。

其他选项分析：

• 替代扩散需占据晶格点，与“间隙”矛盾。
• 两步扩散通常指表面吸附与体相扩散的组合，非本题情境。
• 跳跃扩散是笼统描述，未特指间隙或晶格位置。

综上，正确答案为C. 间隙扩散。