已知硅半导体中每立方厘米掺有110^17个硼原子，则：A. 这是N-SiB. 该半导体中空穴为少数载流子C. 电子浓度为10^17 , cm^-3D. 该半导体的费米能级在禁带中心下方

本题考查半导体的基本概念，包括杂质半导体的类型、载流子浓度以及费米能级的位置。解题的关键在于根据掺杂情况判断半导体类型，再依据相关理论分析载流子浓度和费米能级的位置。

1. 判断半导体类型：
   • 硼是三价元素，在硅半导体中掺入硼原子，硼原子会接受一个电子形成空穴，从而使半导体中空穴成为多数载流子，电子成为少数载流子，这种半导体被称为P型半导体，而不是N型半导体。所以选项A错误。
2. 分析载流子浓度：
   • 由于掺入的硼原子浓度为$10^{17} \, cm^{-3}$，这些硼原子会提供大量的空穴，因此空穴是多数载流子，电子是少数载流子。所以选项B错误。
   • 根据半导体的电中性原理，在热平衡状态下，半导体中正负电荷总数相等，即$n_0p_0 = n_i^2$，其中$n_0$是电子浓度，$p_0$是空穴浓度，$n_i$是本征载流子浓度。对于硅半导体，在室温下$n_i\approx1.5\times10^{10} \, cm^{-3}$。
   • 已知$p_0 = 10^{17} \, cm^{-3}$，则电子浓度$n_0=\frac{n_i^2}{p_0}=\frac{(1.5\times10^{10})^2}{10^{17}} = 2.25\times10^{3} \, cm^{-3}\neq10^{17} \, cm^{-3}$。所以选项C错误。
3. 确定费米能级位置：
   • 对于P型半导体，由于空穴是多数载流子，费米能级会靠近价带顶，即在禁带中心下方。所以选项D正确。