题目
-3. 在半导体元件生产中,为了测定硅片上SiO2薄膜的厚度,将该膜的一端腐蚀成劈尖状。已知SiO2-|||-折射率 =1.46, 用波长 lambda =5893A 的钠光照射后,观察到劈尖上出现9条暗纹,且第9条在劈尖斜-|||-坡上端点M处,Si的折射率为3.42,试求SiO 2薄膜的厚度。
题目解答
答案
解析
步骤 1：确定暗纹条件
在劈尖干涉中，暗纹条件为：$2ne = \dfrac{(2k+1)\lambda}{2}$，其中 $n$ 是薄膜的折射率，$e$ 是薄膜的厚度，$\lambda$ 是入射光的波长，$k$ 是干涉级数。
步骤 2：确定干涉级数
题目中提到观察到9条暗纹，且第9条在劈尖斜坡上端点M处，因此 $k=8$。
步骤 3：计算薄膜厚度
将已知的折射率 $n=1.46$，波长 $\lambda=5893A$，干涉级数 $k=8$ 代入暗纹条件公式，计算薄膜的厚度 $e$。
在劈尖干涉中，暗纹条件为：$2ne = \dfrac{(2k+1)\lambda}{2}$，其中 $n$ 是薄膜的折射率，$e$ 是薄膜的厚度，$\lambda$ 是入射光的波长，$k$ 是干涉级数。
步骤 2：确定干涉级数
题目中提到观察到9条暗纹，且第9条在劈尖斜坡上端点M处，因此 $k=8$。
步骤 3：计算薄膜厚度
将已知的折射率 $n=1.46$，波长 $\lambda=5893A$，干涉级数 $k=8$ 代入暗纹条件公式，计算薄膜的厚度 $e$。