在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电,所以空间电荷区的电阻率( )。A. 很高B. 很低C. 等于N型或P型半导体的电阻率

考查要点：本题主要考查对PN结空间电荷区电阻率的理解，涉及半导体物理中的基本概念。

解题核心思路：
空间电荷区的形成是由于PN结交界处多数载流子的扩散，导致正负离子的积累。关键点在于空间电荷区中几乎没有自由载流子（电子或空穴），而导电性依赖于自由载流子的移动。因此，该区域导电能力极差，电阻率显著高于普通半导体。

破题关键：

1. 明确空间电荷区的形成原因（扩散与耗尽现象）。
2. 理解电阻率与自由载流子浓度的直接关系。
3. 区分固定离子与自由载流子在导电中的作用。

在PN结形成过程中，P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散。扩散后，P区留下不能移动的负离子（因失去正电荷），N区留下不能移动的正离子（因失去负电荷）。这些正负离子在交界处形成空间电荷区（耗尽层），其特点如下：

1. 无自由载流子：空间电荷区内的自由电子和空穴已被耗尽，无法参与导电。
2. 固定离子无法移动：虽然正负离子带电，但它们固定在晶格中，无法通过移动形成电流。
3. 导电能力极差：由于缺乏自由载流子，该区域的电阻率远高于普通半导体材料（如N型或P型半导体）。

因此，空间电荷区的电阻率很高，正确答案为A。