杂质半导体中,少数载流子的浓度仅取决于温度。()A. 对B. 错

本题考查杂质半导体中少数载流子浓度的决定因素。

关键分析：

杂质半导体分为N型（多数载流子为电子，少数载流子为空穴）和P型（多数载流子为空穴，少数载流子为电子）。
根据半导体物理知识：

• 多数载流子浓度主要由掺杂浓度决定（例如N型中电子浓度≈掺杂浓度）。
• 少数载流子浓度则遵循热平衡载流子浓度乘积公式：$n_0 \cdot p_0 = n_i^2$，其中$n_i$为本征载流子浓度，仅与温度有关（$n_i \propto T^{3/2}e^{-E_g/(2kT)}$，$E_g$为禁带宽度，$k$为玻尔兹曼常数）。

因此，当温度一定时，少数载流子浓度由本征载流子浓度决定；若温度变化，$n_i$显著变化，少数载流子浓度也随之改变。题目中“少数载流子的浓度仅取决于温度”这一表述，在热平衡条件下是成立的（忽略掺杂浓度极低温下的影响）。