在室温附近,只将温度降低,杂质半导体中()的浓度明显降低。A. 少数载流子B. 自由电子C. 空穴D. 多数载流子

考查要点：本题主要考查杂质半导体中载流子浓度随温度变化的规律，需理解多数载流子与少数载流子的来源差异。

解题核心：

• 多数载流子由掺杂浓度决定，受温度影响较小；
• 少数载流子依赖于杂质电离，温度降低会显著减少电离，导致其浓度明显下降。

破题关键：明确温度变化对杂质电离过程的影响，以及不同载流子类型的生成机制。

杂质半导体中，载流子分为多数载流子和少数载流子：

• N型半导体：自由电子（多数载流子）来自掺杂，空穴（少数载流子）由杂质电离产生；
• P型半导体：空穴（多数载流子）来自掺杂，自由电子（少数载流子）由杂质电离产生。

温度降低时：

1. 多数载流子浓度主要由掺杂浓度决定，温度变化对其影响微弱；
2. 少数载流子的产生依赖于杂质电离，温度降低会减弱电离过程，导致其浓度明显降低。

因此，温度降低时，少数载流子的浓度显著下降。