半导体少数载流子产生的原因是( )。A. 外电场B. 掺杂C. 热激发

本题考查半导体中少数载流子产生的原因。关键点在于理解掺杂对半导体结构的影响。

• 掺杂是通过引入杂质原子改变半导体的导电类型，形成多数载流子（多子）和少数载流子（少子）。例如，n型半导体中电子是多子，空穴是少子。
• 热激发主要影响少数载流子的数量，而非其存在性。即使没有热激发，掺杂本身也会导致少子的存在（如绝对零度下仍有少量少子）。
  因此，少数载流子的产生根本原因是掺杂，而热激发是影响其数量的因素。

选项分析

1. 外电场（A）
   外电场的作用是使载流子定向移动形成电流，但不会直接产生载流子，因此错误。

2. 掺杂（B）
   掺杂通过引入杂质原子改变半导体的能带结构，形成多子和少子。例如，n型半导体中，掺杂磷原子释放电子（多子），而空穴（少子）因掺杂结构的存在而产生。因此，少数载流子的存在由掺杂决定。

3. 热激发（C）
   热激发导致电子-空穴对的产生，影响少数载流子的数量，但并非其存在的根本原因。例如，即使无热激发，掺杂半导体中仍会有少量少子。