【简答题】什么是应变效应?什么是压阻效应?什么是横向效应?

考查要点：本题主要考查对应变效应、压阻效应、横向效应三个物理概念的准确理解与区分。
解题核心：需明确三个效应的定义主体（导体、半导体、应变片结构）及关键变化量（电阻、电阻率、灵敏系数）。
破题关键：

1. 应变效应关注导体受机械变形时电阻的变化；
2. 压阻效应强调半导体材料在外力作用下电阻率的变化；
3. 横向效应聚焦应变片敏感栅结构对灵敏系数的影响。

应变效应

定义：当导体（如金属）受到外力作用发生机械变形时，其内部原子间距改变，导致自由电子的迁移阻力变化，从而使电阻值发生相应改变。
关键点：

• 材料类型：导体（非半导体）。
• 变化量：电阻（而非电阻率）。
• 触发条件：机械变形。

压阻效应

定义：半导体材料在某一轴向受外力作用时，其电阻率ρ会发生显著变化。
关键点：

• 材料类型：半导体（如硅、锗）。
• 变化量：电阻率（材料固有属性）。
• 触发条件：单轴向受力。

横向效应

定义：将直的电阻丝绕成敏感栅后，虽然长度和应变状态未变，但敏感栅的电阻变化量减小，导致灵敏系数k比直电阻丝的灵敏系数k₀降低。
关键点：

• 结构因素：敏感栅的螺旋结构。
• 变化量：灵敏系数k减小。
• 本质原因：弯曲导致局部应变分布不均。