在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于[填空1],而少子的浓度则受[填空2]的影响很大。A. 温度B. 掺杂浓度C. 掺杂工艺D. 晶体缺陷

本题考查掺杂半导体中载流子浓度的影响因素。

• 多子的浓度主要由掺杂浓度决定，因为掺杂直接引入大量多数载流子（如N型半导体中的自由电子）。
• 少子的浓度受温度影响显著，因为少子主要通过本征激发产生，而温度直接影响激发概率。

填空1：多子浓度的决定因素

掺杂半导体中，多子是掺杂杂质直接提供的载流子（如N型半导体中的电子、P型半导体中的空穴）。因此，多子浓度主要由掺杂工艺引入的杂质浓度（掺杂浓度）决定，与选项B对应。

填空2：少子浓度的主导因素

少子是通过本征激发产生的，其浓度与半导体材料的本征特性及温度密切相关。温度升高会增加晶格振动能量，促进本征激发，从而显著提高少子浓度，因此选项A正确。