26. (2.0分) 因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电A. 对B. 错

考查要点：本题主要考查对N型半导体电中性的理解，明确半导体材料的导电机制与电荷状态的关系。

解题核心：
N型半导体的多子是自由电子，但半导体材料整体保持电中性。掺杂过程引入的正离子与自由电子的电荷总量相抵消，因此N型半导体不会因多子的存在而带电。

关键点：

• 半导体的电中性原理：掺杂后，杂质离子的正电荷与多数载流子的负电荷总量相等。
• 多子的存在仅说明导电能力增强，不代表材料整体带电。

错误分析：
题目认为“N型半导体因多子是自由电子而带负电”，这一结论混淆了“载流子浓度”与“材料电荷状态”的关系。

1. N型半导体的形成：通过掺入磷等杂质，磷原子提供一个自由电子，同时自身成为带正电的离子。
2. 电中性原理：每个正离子对应一个自由电子，总正电荷与总负电荷相等，材料整体电中性。
3. 导电机制：自由电子参与导电，但电子的移动会伴随空穴的补偿，不会导致净电荷积累。

结论：N型半导体的多子是自由电子，但材料本身不带电，因此原题说法错误。