题目
点电荷Q位于无限大导体平面上方的高度h处,求出导体平面上的感应电荷密度σ。
点电荷Q位于无限大导体平面上方的高度h处,求出导体平面上的感应电荷密度σ。
题目解答
答案
解析:由电势的性质可知,导体内部电场为0。因此,在导体平面上感应出的感应电荷会产生一个与该点电荷相等但反向的电场,使得导体平面上的电场为0。那么,导体平面上感应出来的感应电荷密度σ就可以表示为:σ = Q/(4πh²)其中,Q为点电荷的电量。
解析
本题考查静电场中导体的性质以及电场叠加原理的应用。解题的关键思路是利用导体内部电场强度为零这一特性,通过镜像法来求解导体平面上的感应电荷密度。
详细解析
- 镜像法原理:
- 由于导体是等势体,在静电平衡状态下,导体内部电场强度$\vec{E}_{内}=0$。对于位于无限大导体平面上方高度$h$处的点电荷$Q$,我们可以利用镜像法来等效处理。在导体平面下方与点电荷$Q$关于导体平面对称的位置放置一个镜像电荷$Q'$,且$Q'=-Q$。这样,导体平面上任意一点的电场就可以看作是点电荷$Q$和镜像电荷$Q'$共同产生的电场的叠加。
- 计算导体平面上的电场强度:
- 设导体平面上某一点$P$,点电荷$Q$到$P$点的距离为$r_1$,镜像电荷$Q'$到$P$点的距离为$r_2$。根据点电荷的电场强度公式$\vec{E}=\frac{kQ}{r^{2}}\hat{r}$(其中$k = \frac{1}{4\pi\epsilon_0}$),点电荷$Q$在$P$点产生的电场强度$\vec{E}_Q=\frac{kQ}{r_1^{2}}\hat{r}_1$,镜像电荷$Q'$在$P$点产生的电场强度$\vec{E}_{Q'}=\frac{kQ'}{r_2^{2}}\hat{r}_2$。
- 因为$Q'=-Q$,且$r_1 = r_2$(由对称性可知),所以$\vec{E}_Q$和$\vec{E}_{Q'}$大小相等,方向相反,即$\vec{E}_P=\vec{E}_Q+\vec{E}_{Q'}=0$,这满足导体内部电场强度为零的条件。
- 计算导体平面上的感应电荷密度:
- 我们可以将导体平面上的感应电荷看作是由镜像电荷$Q'$等效产生的。在导体平面上取一个半径为$r$,宽度为$dr$的圆环,圆环的面积$dS = 2\pi rdr$。
- 以点电荷$Q$为球心,$r$为半径作一个球面,根据高斯定理$\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{enc}}{\epsilon_0}$,在导体平面上,我们可以通过计算通过圆环的电通量来求解感应电荷。
- 点电荷$Q$在圆环处产生的电场强度$E=\frac{kQ}{r^{2}}$,通过圆环的电通量$d\varPhi_E = E\cdot dS=\frac{kQ}{r^{2}}\cdot 2\pi rdr$。
- 又因为$d\varPhi_E=\frac{dq_{ind}}{\epsilon_0}$($dq_{ind}$为圆环上的感应电荷),所以$dq_{ind}=\epsilon_0d\varPhi_E=\frac{Q}{2\pi r}dr$。
- 感应电荷密度$\sigma=\frac{dq_{ind}}{dS}$,将$dq_{ind}=\frac{Q}{2\pi r}dr$和$dS = 2\pi rdr$代入可得:
- $\sigma=\frac{\frac{Q}{2\pi r}dr}{2\pi rdr}=\frac{Q}{4\pi r^{2}}$。
- 由几何关系可知$r^{2}=h^{2}+x^{2}$($x$为圆环到点电荷$Q$在导体平面投影点的水平距离),当我们考虑整个导体平面时,在距离点电荷$Q$投影点$x$处的感应电荷密度$\sigma=\frac{Q}{4\pi(h^{2}+x^{2})}$。如果只考虑距离点电荷$Q$投影点为$0$(即正下方)的情况,此时$x = 0$,则$\sigma=\frac{Q}{4\pi h^{2}}$。