PN结加反向电压时,空间电荷区将 [ ]A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 不确定

考查要点：本题主要考查PN结在外加反向电压时空间电荷区宽度的变化规律，属于半导体物理基础知识。

解题核心思路：
PN结的空间电荷区宽度受外加电压影响。反向电压会增强内建电场，导致空间电荷区变宽。关键在于理解外加电压如何改变耗尽层的电荷分布。

破题关键点：

1. 空间电荷区的形成：PN结形成时，扩散作用导致耗尽层产生，宽度由掺杂浓度和平衡条件决定。
2. 反向电压的作用：外加反向电压（P区接负，N区接正）会使耗尽层中的电场增强，进一步吸引正负电荷积累，从而扩大空间电荷区宽度。

反向电压对空间电荷区的影响：

1. 耗尽层电场增强：反向电压与内建电场方向相同，叠加后总电场强度增大。
2. 电荷积累：增强的电场吸引更多杂质离子（正电荷在N区，负电荷在P区）向耗尽层边界聚集。
3. 宽度变化：电荷积累导致耗尽层宽度增大，空间电荷区变宽。

选项分析：

• A. 变窄：错误，正向电压才会导致空间电荷区变窄。
• B. 基本不变：错误，外加电压会显著改变耗尽层宽度。
• C. 变宽：正确，反向电压增强电场，扩大耗尽层。
• D. 不确定：错误，规律明确。