在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( )A. 掺杂工艺;B. 杂质浓度;C. 温度;D. 晶体缺陷。

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于温度。这是因为温度的变化会影响载流子的热激发过程，从而影响少数载流子的浓度。掺杂工艺、杂质浓度和晶体缺陷虽然也会影响半导体的性质，但它们对少数载流子浓度的影响不如温度显著。