8. 在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在 P-N 结内建电场的作用下，N 区的什么向 P区运动，P 区的什么向 N 区运动？

考查要点：本题主要考查晶体硅太阳电池在光照条件下P-N结内建电场对载流子运动的影响，重点理解光生载流子的分离机制。

解题核心思路：

1. 明确P-N结内建电场的方向（由P区指向N区）。
2. 少数载流子在内建电场作用下的漂移方向：
   • 空穴作为正电荷，沿电场方向（P→N）移动。
   • 电子作为负电荷，逆电场方向（N→P）移动。
3. 光照产生电子-空穴对后，少数载流子被内建电场分离，形成电流。

破题关键点：

• 区分多数载流子与少数载流子的运动方向。
• 结合内建电场方向，判断载流子的漂移方向。

在光照条件下，晶体硅太阳电池的P-N结内建电场仍然存在。此时，光生电子-空穴对的产生打破了平衡：

1. N区的空穴（少数载流子）：

   • 空穴是正电荷，受内建电场（P→N）作用，向P区漂移。
   • 这一过程形成N区空穴向P区运动。

2. P区的电子（少数载流子）：

   • 电子是负电荷，受内建电场作用，逆电场方向（N→P）移动，即向N区漂移。
   • 这一过程形成P区电子向N区运动。

总结：光照下，内建电场驱动N区的空穴和P区的电子发生漂移，形成电流。