必答下面对N型半导体描述正确的是()A. 掺入五价元素B. 自由电子是多子，空穴是少子C. 对外呈电中性D. 自由电子是少子,空穴是多子

N型半导体的形成与掺入五价元素有关，其核心特征是自由电子作为多数载流子（多子），空穴为少数载流子（少子），且整体保持电中性。本题需结合半导体基本概念，逐一分析选项的正确性。

选项分析

选项A

N型半导体通过掺入五价元素（如磷、砷）形成。五价元素的原子在晶格中与四价硅/锗结合后，多余的一个价电子易脱离原子核束缚，成为自由电子。因此选项A正确。

选项B

在N型半导体中，自由电子浓度远高于空穴浓度，即自由电子是多子，空穴是少子。此描述符合N型半导体特性，选项B正确。

选项C

半导体材料整体电中性。掺入杂质后，虽然自由电子浓度增加，但杂质原子失去电子形成正离子，与自由电子的负电荷平衡，故选项C正确。

选项D

自由电子是少子，空穴是多子的描述属于P型半导体的特征，与N型半导体相反，因此选项D错误。