简述p型半导体与n型半导体接触时，p-n结的形成过程(注意不是p-n结的制作过程、不是指工艺过程)。

当p型半导体与n型半导体接触时，p-n结的形成过程如下： 1. **载流子扩散**：p型半导体中的空穴浓度远高于n型半导体，而n型半导体中的自由电子浓度较高。由于浓度差，空穴从p区向n区扩散，同时自由电子从n区向p区扩散。 2. **电荷中和**：在接触区域，电子与空穴相遇时会复合。n区靠近p区的电子与p区的空穴复合，导致n区该区域失去电子而带正电；p区靠近n区的空穴被n区的电子填充，导致p区该区域失去空穴而带负电。 3. **内建电场形成**：带电区域的正负电荷产生电场，方向从n区指向p区。该电场会阻碍后续载流子的扩散，形成动态平衡。 4. **耗尽层建立**：电场的作用下，靠近接触面的n区和p区中原本参与扩散的多数载流子被耗尽，形成宽度有限的“耗尽层”。此时，p-n结两侧电荷分布稳定，形成内建电势差。 **结论**：p-n结的形成是由于载流子扩散导致的电荷中和与电场建立的动态平衡过程，最终形成带内建电势差的耗尽层。