掺杂5价元素在杂质半导体的多数载流子是()A. 电子B. 空穴C. 正电荷

本题考查半导体掺杂的基本原理，关键在于理解不同价态杂质元素对半导体载流子的影响。
核心思路：

1. 5价元素掺杂时，每个杂质原子提供一个自由电子，使半导体中电子成为多数载流子，形成n型半导体。
2. 3价元素掺杂时，每个杂质原子形成空穴，使半导体中空穴成为多数载流子，形成p型半导体。
   破题关键：明确杂质价态与载流子类型的对应关系，区分n型和p型半导体的特性。

掺杂5价元素的过程：

1. 价电子对比：5价元素（如磷）的价电子数为5，而半导体基体（如硅）的价电子数为4。
2. 杂质原子行为：掺入后，杂质原子与半导体晶格结合时，多余的一个电子易被激发，成为自由电子。
3. 载流子类型：自由电子数量远多于原本的空穴，因此电子是多数载流子，空穴为少数载流子。

选项分析：

• A. 电子：正确，5价元素使电子成为多数载流子。
• B. 空穴：错误，空穴是3价元素掺杂后的多数载流子。
• C. 正电荷：错误，载流子是电子和空穴，不存在正电荷作为载流子。