在杂质半导体中,少子的浓度主要取决于什么()A. 掺杂工艺B. 温度C. 杂质浓度D. 晶体缺陷

考查要点：本题主要考查杂质半导体中少数载流子（少子）浓度的影响因素，需理解半导体基本理论中温度对载流子浓度的作用。

解题核心思路：
在杂质半导体中，多数载流子浓度主要由掺杂浓度决定，而少数载流子浓度则受温度影响显著。这是因为少数载流子的产生主要依赖于热激发过程，而非掺杂工艺或杂质浓度。

破题关键点：

• 区分“多数载流子”与“少数载流子”的影响因素差异。
• 明确温度通过影响本征激发过程，直接决定少数载流子的浓度。

在杂质半导体中：

1. 多数载流子（如N型半导体中的自由电子）的浓度主要由掺杂工艺和杂质浓度决定，因为掺杂直接提供了大量多数载流子。
2. 少数载流子（如N型半导体中的空穴）的浓度较低，其产生机制与本征半导体类似，主要通过热激发产生。因此，温度是决定少数载流子浓度的关键因素。温度升高会增加热激发概率，从而提高少数载流子浓度。

选项分析：

• A. 掺杂工艺：影响多数载流子浓度，而非少数载流子。
• B. 温度：正确，直接决定少数载流子的热激发程度。
• C. 杂质浓度：同掺杂工艺，主要影响多数载流子。
• D. 晶体缺陷：可能对载流子浓度有微小影响，但非主要因素。