杂志半导体中，多数载流子是如何产生的，少数载流子是如何产生的。第1空:掺入杂质第2空:本征激发

本题考查半导体中多数载流子和少数载流子的产生机制相关知识。解题思路是分别明确杂质半导体中多数载流子和少数载流子的产生原理。

• 多数载流子的产生：在本征半导体中掺入杂质，就形成了杂质半导体。当掺入施主杂质时，施主杂质会向半导体提供电子，使得半导体中的电子浓度大大增加，此时电子成为多数载流子；当掺入受主杂质时，受主杂质会向半导体提供空穴，使得半导体中的空穴浓度大大增加，此时空穴成为多数载流子。所以多数载流子是由掺入的杂质电离产生的。
• 少数载流子的产生：本征激发是指在一定温度下，由于热激发，半导体中的价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来的位置上留下一个空穴的现象。在杂质半导体中，本征激发产生的载流子（电子和空穴）数量相对掺入杂质产生的多数载流子数量要少得多，所以本征激发产生的载流子就是少数载流子。