N型半导体的多子是带负电的自由电子,P型半导体的多子是带正电的空穴,但无论是N型还是P型半导体各自对外均呈电中性。A. 正确B. 错误

本题考查对半导体基本概念的理解，特别是N型半导体和P型半导体的多数载流子（多子）性质及其电中性原理。
关键知识点：

1. N型半导体的多子是自由电子（带负电），由五价掺杂原子提供；
2. P型半导体的多子是空穴（带正电），由三价掺杂原子形成；
3. 半导体内部正负电荷总量相等，因此整体呈电中性。

破题关键：明确多子的电荷性质及半导体电中性的本质原因。

N型半导体的多子

• 五价掺杂原子（如磷）与半导体晶格结合后，释放出自由电子（带负电）。
• 这些自由电子成为N型半导体的多数载流子（多子），因此题目中“N型半导体的多子是带负电的自由电子”正确。

P型半导体的多子

• 三价掺杂原子（如硼）与半导体晶格结合时，形成空穴（带正电）。
• 空穴成为P型半导体的多数载流子（多子），因此题目中“P型半导体的多子是带正电的空穴”正确。

半导体的电中性

• N型半导体中，自由电子（负电）与掺杂原子的正离子（带等量正电）电荷总量相等。
• P型半导体中，空穴（正电）与掺杂原子的负离子（带等量负电）电荷总量相等。
• 因此，两种半导体均对外呈电中性，题目描述正确。