题目
在生产半导体元件时,为了测定硅片上的二氧化硅膜-|||-的厚度,将薄膜的一端做成劈尖状,若用波长为λ的平-|||-行光,从空气由上而下的垂直照射硅片,在垂直方向-|||-上观察到劈尖上出现的干涉条纹,其第七条暗纹正好-|||-在劈尖与平面膜的交线M处(图示),已知 _(1)lt (n)_(2)lt (n)_(3)-|||-则二氧化硅薄膜的厚度e和棱边N处的明暗情况是:-|||-1 n1-|||-N. SiO 2 M2.-|||-S i n 3-|||-A /4n2, 明纹-|||-B /4n2, 暗纹-|||-C /4n2, 明纹-|||-D https:/img.zuoyebang.cc/zyb_b3a7feb5437acc4264fa718a0b098dc6.jpgDelta ABn 啦

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答案
