内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷处的漏磁场大。A. 正确B. 错误

漏磁场的大小与缺陷的位置密切相关。表面缺陷由于靠近材料表面，磁感线更容易泄漏到空气中，形成较强的漏磁场；而内部缺陷被材料包围，磁感线受材料约束，漏磁场较弱。因此，同样大小的缺陷，表面缺陷的漏磁场更大。

漏磁场是由于缺陷导致磁场畸变而产生的。

1. 表面缺陷：

   • 位于材料表面，磁感线容易逸出到磁导率低的空气介质中。
   • 磁场畸变显著，漏磁场强度大。

2. 内部缺陷：

   • 被材料包围，磁感线仍部分通过材料内部。
   • 磁场畸变较小，漏磁场强度弱。

因此，内部缺陷的漏磁场比表面缺陷小，原题说法错误。