P型半导体中空穴为多数载流子:自由电子为少数载流子。()

本题考查半导体物理中P型半导体的基本概念。解题思路是依据P型半导体的定义和特性来判断该陈述的正确性。
在半导体材料中，通过掺入特定杂质可以改变其导电性能。当在纯净的半导体（如硅）中掺入三价杂质元素（如硼）时，就会形成P型半导体。
三价杂质原子在与周围的半导体原子形成共价键时，会缺少一个电子，从而形成一个空穴。由于掺入了大量的三价杂质，所以在P型半导体中会产生大量的空穴。
而自由电子是由本征激发产生的，本征激发是指半导体中的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的位置留下一个空穴。在P型半导体中，本征激发产生的自由电子数量远远少于由杂质原子产生的空穴数量。
因此，在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子，该陈述是正确的。