P 型半导体中空穴多于自由电子数目A. 正确B. 错误

考查要点：本题主要考查对P型半导体载流子特性的理解，明确空穴与自由电子的数量关系。

解题核心思路：
P型半导体通过掺入三价元素形成，其多数载流子是空穴，而自由电子是少数载流子。根据半导体的平衡关系，空穴浓度显著高于自由电子浓度，因此题目描述正确。

破题关键点：

1. 掺杂类型决定载流子性质：P型半导体由三价元素掺杂，产生大量空穴。
2. 载流子浓度关系：空穴浓度（多数载流子）远大于自由电子浓度（少数载流子）。

P型半导体的形成与载流子特性：

1. 掺杂过程：在本征半导体中掺入三价元素（如硼），每个三价原子与周围共价键结合时，形成空穴（缺少一个电子）。
2. 载流子类型：
   • 多数载流子：空穴（由掺杂直接产生，浓度高）。
   • 少数载流子：自由电子（通过热激发产生，浓度低）。
3. 浓度关系：
   根据半导体平衡条件，空穴浓度 $p$ 与自由电子浓度 $n$ 满足 $p \cdot n = n_i^2$（$n_i$ 为本征载流子浓度）。
   在P型半导体中，$p \gg n_i$，因此 $n \ll n_i$，最终 $p > n$。

结论：题目中“空穴多于自由电子数目”的描述正确。