________与________之差称为过冷度[1]。过冷度的大小与________有关,________越快,金属的实际结晶温度越________,过冷度也就越大。
标准电位可以粗略地判断金属的腐蚀倾向。A. 正确B. 错误
一零件由 40Cr 制成,已知材料的 σb=980MPa,σs=785MPa,σ-1=440MPa,ψσ=0.3。零件的最大工作 应力 σmax=240MPa,最小工作应力 σmin=-80MPa,疲劳强度综合影响系数 KσD=1.44。则当应力比 r=常 数时,该零件的疲劳强度工作安全系数 S 为( )A. 3.27B. 1.73C. 1.83D. 1.27
(1.0分疲劳强度是指金属材料抵抗()作用而不发生破坏的个的能力A. 交变载荷B. 静载荷C. 冲击载荷
确定实体材料的净用量定额和材料损耗定额一般通过( )法获得。 A.理论计算法B.利用实验室试验法C.利用现场技术测定法D.利用现场统计法E.利用图纸计算法
渗碳和渗氮热处理都可以提高工件表面硬度和耐磨性。A. 正确B. 错误
1-73 一试件在非稳定对称循环弯曲应力下工作,循环基数 _(0)=(10)^7, 材料常数 =9, 其-|||-疲劳强度极限 -1=400MI(a)_(a), 在当量应力 (sigma )_(1)=600MI(a)_(a) 时工作循环次数 _(1)=(10)^5 试用Miner-|||-方程估计,再受 (sigma )_(2)=450N/Pa 时,到疲劳破坏前还能继续工作多少循环次数。
硬钢是设计上取相应于残余应变为()的应力为名义屈服强度。A. 0.2B. 0.02C. 0.2%D. 0.02%
亚共析钢的先共析铁素体的形态主要有网状,块状和(。A. 蝶状B. 片(针)状
刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。A. 正确B. 错误
热门问题
纳米技术是19世纪的高新技术,用来研究尺寸在0.1—100纳米范围内材料的性质和应用。()A. 正确B. 错误
金属型内铸造应力未超过金属型材料的抗拉强度时,金属型会发生( )。A. 裂纹B. 网裂C. 变形D. 内裂
陶瓷烧造中的还原气氛是指还原气氛是()燃烧的火焰,这时窑中所产生的一氧化碳和氢气多,没有或者极少游离氧的存在。在陶瓷烧造过程中,还原气氛是一种非常重要的气氛状态,它对于某些类型的陶瓷制品,如某些类型的釉色和纹饰的烧制,是非常关键的。在还原气氛下,窑内产生的一氧化碳和氢气较多,而游离氧的存在极少或者没有。这种气氛能够促使陶瓷中的某些金属离子还原,从而产生特定的颜色和效果。因此,对于陶瓷烧造过程中的还原气氛的理解和掌握是非常重要的。A 氧气B 完全C 不完全
太阳能集热器的关键部分是 。A. 外壳材料B. 隔热层材料C. 热吸收材料D. 支架材料
制取初印模时使用A. 打样膏B. 藻酸盐印模材C. 硅橡胶印模材
塑料属于( )A. 天然材料B. 合成材料C. 金属材料D. 无机非金属材料
7.下列金属中,密度最小的是( )A. 锂B. 镁C. 铝D. 铁
15. 目前广泛使用的义齿基托材料的化学名称 A. 甲基丙烯酸树脂B. 聚甲基丙烯酸甲酯树脂C. 牙托粉D. 以上都是
不锈钢能保持不生锈,是因为不锈钢中含有哪种元素?A. 铬B. 铁C. 锌D. 铜
生斑铜是将( )铜块直接打成片状,再进而打造成工艺品的,称之为生斑铜。A. 浸硫酸的B. 人工的C. 天然的D. 处理过的
7、两根相同的脆性材料等截面直杆,其中一根有沿横截面的微小裂纹(如图示)。 承受图示拉伸载荷时,有微小裂纹的杆件比没有裂纹杆件承载能力明显降低。其主要原因是()。A. 横截面积小B. 偏心拉伸C. 应力集中D. 稳定性差
制造陶瓷的主要原料为( )A. 石灰石B. 纯碱C. 黏土D. 石英砂
以下选项不属于碳纤维优点的是A. 比强度高B. 加工成本低C. 耐腐蚀D. 耐高温
青铜是自然铜与铅和()等元素的合金。)A. 铁B. 锡C. 铂,)D. 镁
6.塑料泡沫是非常好的漂浮材料对错
热凝树脂装盒后进行热处理能使材料性能达到最佳的加热方式是A. 将型盒放入70-75°C的水中,恒温1.5-2h,然后升温至沸腾,维持0.5-1h,自然冷却。B. 将型盒放入温水中,在1.5-2h内缓慢匀速升温至沸腾,再维持0.5-1h,自然冷却。C. 将型盒放入70-75°C的水中,维持9小时以上。
()银:是指含银92.5%的银,在国际标准上被公认为纯银标准。A. 950B. 925C. 970D. 820
在吹炼中期,主要是( )元素的氧化。A. 硅B. 锰C. 磷D. 碳
第24届冬季奥林匹克运动会雪上运动项目纪念钞应用了()防伪技术。A. 动感全息B. 透明视窗C. 雕刻凹版印刷D. 光彩光变图案
下列转换效率最高的太阳能电池类型是()。A. 多晶硅B. 单晶硅C. 非晶硅D. 碲化镉