均匀化退火加热的温度接近固相线,且保温时间较短,以达到化学成分和组织均匀化的目的。A. 正确B. 错误

9. 某材料的密度为2.68g/cm 3 ，表观密度为 2.34 g/cm 3， 720 克绝干的该材料浸水饱和后擦干表面并测得质量为740克。求该材料的孔隙率、质量吸水率、体积吸水率、开口孔隙率、闭口孔隙率。

印膜材料根据塑形后有无弹性分为弹性和非弹性印膜材料，根据是否可反复使用分为可逆和不可逆印膜材 料，临床常用的印膜石膏特点属于A. 非弹性可逆B. 热凝固类C. 非弹性不可逆D. 弹性不可逆E. 弹性可逆

金属切除率,是指单位时间内,切除金属的体积量。A. 对B. 错

材料的许用应力由材料的极限应力和安全因数决定,对于脆性材料,极限应力取材料的()A. 比例极限B. 弹性极限C. 屈服极限D. 强度极限

衡量材料塑性的指标是()。A. 冲击韧性、B. 屈服点、C. 疲劳强度、D. 断后伸长率和断面收缩率、

以下属于炼钢生产过程中存在的有害因素的有()。A. 高温B. 噪声C. 粉尘D. 电离辐射和工业毒物

已知位错环ABCD的柏氏矢量为1.，外应力τ和σ，如下图2所示，求：（1）位错环各边是什么位错？（2）设想在晶体中怎样才能得到这个位错？（3）在足够大的切应力τ作用下，位错环将如何运动？（4）在足够大的正应力σ作用下，位错环将如何运动？例题解答：（1）AB为右螺位错，CD为左螺位错。BC为正刃位错，DA为负刃位错（2）在一个完整的晶体中有一个正四棱柱贯穿晶体的上、下表面，它和滑移面MNPQ相交于________，现在将________上部的柱体相对于下部柱体滑移b，棱柱外的晶体不滑移，这样________是在滑移面MNPQ上滑移区（环内）和未滑移区（环外）的交线，也是环的边界，因而是一个位错环。（3）在足够大的切应力τ作用下，位错环上部将不断沿x轴方向（即b的方向）运动，下部将沿x轴负方向（即b的反方向）运动，这种运动必然使位错环各个边向位错环的外侧运动，即AB、BC、CD和DA四段位错分别沿―Z轴、＋X轴、＋Z轴、―X轴方向运动、使位错环扩大。（4）在足够大的正应力σ作用下，AB为右螺位错，CD为左螺位错，是不动的。位错环的BC、DA是刃位错，将发生攀移，是多于半原子面扩大。BC为正刃位错，多于半原子面在滑移面上方，则位错BC沿－Y方向运动；DA为负刃位错，多于半原子面在滑移面下方，则位错DA沿＋Y方向运动。则位错环的运动结果如图。

[单选] 一对单体的r1·r2=0，共聚时将得到（）。A. 无规共聚物B. 交替共聚物C. 嵌段共聚物

体心立方结构中原子的最密排晶向族是:A. <100>;B. [111];C. <111>;D. (111)。

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