[单选] 半导体中施主能级的位置位于（）。A . 禁带B . 满带C . 导带D . 价带

考查要点：本题主要考查半导体中施主能级的位置，属于固体物理或半导体物理的基础知识。

解题核心思路：
施主能级是杂质能级的一种，由五价元素（如磷、砷）掺入半导体时形成。其关键特征是位于禁带中，靠近导带底部，使得电子容易被激发到导带，从而提高导电性。

破题关键点：

• 明确施主能级的定义及其能量位置与半导体能带结构的关系。
• 区分施主能级与受主能级的位置差异（受主能级靠近价带顶部）。

施主能级的形成与位置：

1. 杂质掺入：当五价元素（如P、As）掺入半导体时，其多余的电子与晶格形成共价键，剩余一个电子被束缚在杂质附近，形成施主能级。
2. 能量位置：施主能级位于禁带中，且靠近导带底部。
3. 物理意义：在热激发下，施主能级上的电子易跃迁至导带，释放自由电子，从而增强导电性。

选项分析：

• A. 禁带：正确，施主能级位于禁带中。
• B. 满带：错误，满带指完全填充电子的能带（如金属中的价带），与施主能级无关。
• C. 导带：错误，导带是电子自由运动的区域，施主能级仅靠近导带底部。
• D. 价带：错误，价带是电子与空穴复合的区域，施主能级与价带无直接关联。