当温度升高时,少子的数量().A. 增多B. 减少C. 不变

本题考查半导体物理中少子数量与温度的关系这一知识点。解题思路是依据半导体中少子产生的原理，分析温度对少子产生过程的影响，进而得出少子数量随温度的变化情况。

在半导体中，少子（少数载流子）是由本征激发产生的。本征激发是指半导体中的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来的位置上留下一个空穴，自由电子和空穴就是一对本征激发产生的载流子。

温度是影响本征激发的重要因素。温度升高时，半导体中的原子热运动加剧，价电子获得的能量增多。根据能量守恒和量子力学原理，价电子获得足够能量挣脱共价键束缚的概率增大。

设温度为 $T$ 时，本征激发产生的电子 - 空穴对的浓度为 $n_i$，本征激发产生电子 - 空穴对的过程可以用一个与温度相关的函数来描述，一般来说，本征激发产生的载流子浓度 $n_i$ 与温度 $T$ 的关系可以近似表示为 $n_i^2 = N_cN_v e^{-\frac{E_g}{kT}}$，其中 $N_c$ 和 $N_v$ 分别是导带底和价带顶的有效状态密度，$E_g$ 是半导体的禁带宽度，$k$ 是玻尔兹曼常数。

从这个公式可以看出，当温度 $T$ 升高时，$-\frac{E_g}{kT}$ 的绝对值减小，$e^{-\frac{E_g}{kT}}$ 的值增大，从而 $n_i^2$ 增大，$n_i$ 也增大。而少子的数量与本征激发产生的载流子浓度 $n_i$ 密切相关，所以少子的数量会增多。