题目
能使突触后膜通透性改变,产生兴奋性突触后电位的离子活动是()A. Na + 内流B. K + 内流C. Ca 2+ 内流D. Cl - 内流E. Mg 2+ 内流
能使突触后膜通透性改变,产生兴奋性突触后电位的离子活动是()
A. Na + 内流
B. K + 内流
C. Ca 2+ 内流
D. Cl - 内流
E. Mg 2+ 内流
题目解答
答案
A. Na + 内流
解析
步骤 1：理解兴奋性突触后电位的产生机制
兴奋性突触后电位（EPSP）是突触后膜对某些离子通透性增加，特别是对Na+的通透性增加，导致膜电位朝去极化方向变化，从而产生一个局部电位变化。
步骤 2：分析离子活动
在突触后膜，Na+内流是产生EPSP的主要原因。当突触前神经元释放兴奋性神经递质，与突触后膜上的受体结合后，会打开Na+通道，使Na+内流，导致膜电位去极化。
步骤 3：排除其他离子活动
K+内流、Ca2+内流、Cl-内流和Mg2+内流通常不会直接导致兴奋性突触后电位的产生。K+内流通常与抑制性突触后电位（IPSP）相关，而Cl-内流和Mg2+内流通常与抑制性突触后电位相关。
兴奋性突触后电位（EPSP）是突触后膜对某些离子通透性增加，特别是对Na+的通透性增加，导致膜电位朝去极化方向变化，从而产生一个局部电位变化。
步骤 2：分析离子活动
在突触后膜，Na+内流是产生EPSP的主要原因。当突触前神经元释放兴奋性神经递质，与突触后膜上的受体结合后，会打开Na+通道，使Na+内流，导致膜电位去极化。
步骤 3：排除其他离子活动
K+内流、Ca2+内流、Cl-内流和Mg2+内流通常不会直接导致兴奋性突触后电位的产生。K+内流通常与抑制性突触后电位（IPSP）相关，而Cl-内流和Mg2+内流通常与抑制性突触后电位相关。