双着丝粒畸变是电离辐射引起的标志性染色体畸变类型。-|||-A 正确-|||-B 错误

双着丝粒畸变是染色体结构变异的一种类型，通常由染色体断裂后错误连接或姐妹染色单体未分离引起。电离辐射（如X射线、γ射线）通过破坏DNA分子，导致染色体断裂，进而引发多种结构畸变。其中，双着丝粒畸变是电离辐射作用下的典型标志之一，因此题目表述正确。

1. 电离辐射的作用机制
   电离辐射具有高能量，可打断DNA链，造成染色体断裂。断裂后的染色体片段可能错误连接，形成异常结构。

2. 双着丝粒的形成

   • 断裂与重组：染色体断裂后，若两个断裂片段错误连接，可能产生包含两个着丝粒的染色体。
   • 姐妹染色单体分离异常：在分裂过程中，若姐妹染色单体未正常分离，也可能形成双着丝粒。

3. 标志性畸变的判断
   电离辐射诱发的染色体畸变中，双着丝粒是常见且典型的类型，因此题目描述正确。