关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是 ( )A. 突触前轴突末梢超极化B. 突触后膜对Ca2+、K+通透性增大C. 突触后膜去极化D. 突触后膜出现超极化E. 突触后膜出现复极化

本题考查抑制性突触后电位（IPSP）的产生机制，需明确以下关键点：

1. 突触后膜的变化：抑制性递质与后膜受体结合后，引起特定离子通道开放。
2. 离子流动方向：通常导致Cl⁻内流或K⁺外流，使后膜发生超极化，即静息电位增大，远离动作电位阈值。
3. 选项辨析：需区分超极化与去极化、复极化的概念，以及递质释放的部位。

选项分析

• A. 突触前轴突末梢超极化
  突触前膜的动作电位触发递质释放，超极化会抑制递质释放，但本题关注突触后膜变化，故错误。

• B. 突触后膜对Ca²⁺、K⁺通透性增大
  抑制性递质通常增加Cl⁻通透性或K⁺外流，而Ca²⁺内流与兴奋性递质相关（如NMDA受体），故错误。

• C. 突触后膜去极化
  去极化是兴奋性突触后电位（EPSP）的表现，与IPSP相反，故错误。

• D. 突触后膜出现超极化
  抑制性递质作用后，突触后膜电位远离阈值，出现超极化，正确。

• E. 突触后膜出现复极化
  复极化是动作电位下降阶段的细胞内过程，与突触后电位无关，故错误。