在杂质半导体中多子数量的主要取决于 。A. 掺杂浓度B. 温度

考查要点：本题主要考查杂质半导体中载流子浓度的决定因素，区分多子与少子的产生机制。

解题核心：明确多子（多数载流子）的形成与掺杂浓度的直接关系，以及温度对载流子浓度的影响范围。

关键点：

1. 多子由掺杂产生：杂质半导体中，掺入的杂质原子直接提供多数载流子（如N型半导体中的自由电子）。
2. 掺杂浓度主导多子数量：多子浓度与掺杂浓度呈近似线性关系，掺杂浓度越高，多子越多。
3. 温度影响有限：温度主要影响本征载流子（少子）的浓度，对多子浓度的影响较小。

在杂质半导体中：

1. 多子的来源：

   • N型半导体：掺入的磷、砷等杂质原子释放自由电子，电子为多子。
   • P型半导体：掺入的硼、铝等杂质原子产生空穴，空穴为多子。
     多子数量直接由掺杂浓度决定，掺杂浓度越高，多子浓度越大。

2. 温度的作用：

   • 温度升高会增加本征激发，导致少子浓度上升（如N型半导体中的空穴）。
   • 但多子浓度主要由掺杂浓度决定，温度对其影响较小，尤其在高掺杂情况下。

结论：多子数量的主要决定因素是掺杂浓度，而非温度。