题目
下列对化学气相沉积法(CVD)描述不正确的是A. CVD技术常受限于沉积视线,较难沉积在工件上的阴影部位B. 具有较高的沉积速度,可获得后的涂层C. CVD可在相当低的温度下镀上高熔点材料的镀层D. 反应物使用率低,反应长受到沉积反应平衡常数的限制
下列对化学气相沉积法(CVD)描述不正确的是
A. CVD技术常受限于沉积视线,较难沉积在工件上的阴影部位
B. 具有较高的沉积速度,可获得后的涂层
C. CVD可在相当低的温度下镀上高熔点材料的镀层
D. 反应物使用率低,反应长受到沉积反应平衡常数的限制
题目解答
答案
A. CVD技术常受限于沉积视线,较难沉积在工件上的阴影部位