由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量自由电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。A. 对 B. 错A．正确B．错误

考查要点：本题主要考查学生对半导体材料导电机制的理解，特别是掺杂半导体的电中性本质。

关键思路：

1. 半导体掺杂原理：P型半导体通过三价元素掺杂引入空穴，N型半导体通过五价元素掺杂引入自由电子。
2. 电中性原则：掺杂过程不会改变半导体整体的电中性，空穴和自由电子是电荷的载体，而非材料本身带电。
3. 常见误区：容易混淆“载流子类型”与“材料整体电荷”，需明确载流子的移动性与材料电中性之间的关系。

核心错误点：题目认为P型半导体因空穴载流子带正电，N型半导体因自由电子载流子带负电，这一结论违背半导体电中性原理。

1. P型半导体本质：

   • 三价元素（如硼）掺入硅后，形成空穴。
   • 空穴是正电荷的虚拟载体，但空穴的产生是由于共价键中电子的缺失，材料整体仍保持电中性。

2. N型半导体本质：

   • 五价元素（如磷）掺入硅后，多余电子成为自由电子。
   • 自由电子是负电荷的载体，但这些电子来自掺杂原子的最外层，材料整体仍无净电荷。

3. 结论：

   • 无论P型还是N型半导体，掺杂后仅改变载流子类型，材料本身不带电。
   • 题目错误在于将载流子的电荷性质等同于材料整体的电荷状态。