2007U1-043 抑制性突触后电位是A. 去极化局部电位B. 超极化局部电位C. 具有全或无特性D. 突触后膜Na＋通透性增加所致E. 突触前膜递质释放减少所致

抑制性突触后电位（IPSP）是突触后膜在受到抑制性神经递质作用时产生的局部超极化电位。这种电位的产生是由于突触后膜对氯离子（Cl⁻）的通透性增加，导致氯离子内流，使膜电位朝负值方向变化，从而抑制了突触后神经元的兴奋性。因此，抑制性突触后电位是一种超极化局部电位，而不是去极化局部电位，也不具有全或无特性，更不是由于突触后膜Na⁺通透性增加所致或突触前膜递质释放减少所致。