题目
9.12 半径为 R1 和 R2 ( R2 > R1 )的两无限长同轴圆柱面,单位长度上分别带有电量 λ 和- λ ,试求:(1) r < R1 ;(2) R1 < r < R2 ;(3) r > R2 处各点的场强.
9.12 半径为 R1 和 R2 ( R2 > R1 )的两无限长同轴圆柱面,单位长度上分别带有电量 λ 和- λ ,试求:(1) r < R1 ;(2) R1 < r < R2 ;(3) r > R2 处各点的场强.
题目解答
答案
解: 高斯定理∮s E⋅d S=∑qε0取同轴圆柱形高斯面,侧面积 S=2 π rl则 ∮S E⋅d S=E2π rl对(1) rR2 ∑q=0∴ E=0题 9.13 图
解析
本题考察无限长同轴圆柱面电场的计算,核心思路是利用高斯定理分析不同区域的电场分布。关键点在于:
- 电荷分布:两圆柱面单位长度带电量分别为$+λ$和$-λ$,电荷均匀分布在表面。
- 对称性选择:选取同轴圆柱形高斯面,简化积分计算。
- 分区域讨论:根据高斯面包围的电荷量不同,分$r < R_1$、$R_1 < r < R_2$、$r > R_2$三种情况求解。
第(1)题:$r < R_1$
- 高斯面包围电荷:高斯面半径$r < R_1$,未包围任何电荷(电荷分布在$R_1$表面)。
- 高斯定理应用:$\oint \mathbf{E} \cdot d\mathbf{S} = \frac{Q_{\text{enc}}}{\varepsilon_0} = 0$,故场强$E = 0$。
第(2)题:$R_1 < r < R_2$
- 高斯面包围电荷:仅包含内圆柱面的电荷$+λ$。
- 高斯定理应用:
$E \cdot 2\pi r l = \frac{\lambda}{\varepsilon_0} \cdot l \implies E = \frac{\lambda}{2\pi \varepsilon_0 r}.$
第(3)题:$r > R_2$
- 高斯面包围电荷:包含两圆柱面的总电荷$+λ - λ = 0$。
- 高斯定理应用:$\oint \mathbf{E} \cdot d\mathbf{S} = 0$,故场强$E = 0$。