下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A. 是局部除极化电位B. 具有“全或无”性质C. 是局部超极化电位D. 由突触前膜递质释放量减少所致E. 由突触后膜对钠通透性增加所致

本题考查抑制性突触后电位（IPSP）的核心概念，需明确其电位变化特征及产生机制。关键点在于区分兴奋性突触后电位（EPSP）与抑制性突触后电位（IPSP）的差异，理解局部超极化的本质，以及排除与动作电位特性混淆的选项。

选项分析

A. 是局部除极化电位

错误。局部除极化是兴奋性突触后电位（EPSP）的特征，而抑制性突触后电位表现为局部超极化。

B. 具有“全或无”性质

错误。“全或无”是动作电位的特性，而突触后电位是局部电位变化，幅度可随突触传递强度变化，不具有“全或无”性质。

C. 是局部超极化电位

正确。抑制性突触后电位由突触后膜对钾离子（K⁺）或氯离子（Cl⁻）通透性增加引起，导致膜电位偏离静息水平（超极化），使突触后神经元更难产生动作电位。

D. 由突触前膜递质释放量减少所致

错误。抑制性突触后电位的产生与递质种类有关（如γ-氨基丁酸，GABA），而非递质释放量减少。递质释放量减少只会降低信号强度，不直接决定电位类型。

E. 由突触后膜对钠通透性增加所致

错误。钠通透性增加会导致局部除极化（EPSP），而抑制性突触后电位通常与钾或氯通透性增加相关。