题目
3、(本题 3 分)无限长直圆柱体,半径为 R,沿轴向均匀流有电流,设圆柱体内(r﹤R)的磁感应强度为 Bi,圆柱体外(r﹥R)的磁感应强度为 Be,则有(A.) Bi、Be均与 r 成正比(B) Bi与 r 成反比,B.e与 r 成正比(C.) Bi、Be均与 r 成反比(D.) Bi与 r 成正比,Be与 r 成反比
3、(本题 3 分)无限长直圆柱体,半径为 R,沿轴向均匀流有电流,设圆柱体内(r﹤R)的磁感应强度为 Bi,圆柱体外(r﹥R)的磁感应强度为 Be,则有(
A.) Bi、Be均与 r 成正比(B) Bi与 r 成反比,
B.e与 r 成正比(
C.) Bi、Be均与 r 成反比(
D.) Bi与 r 成正比,Be与 r 成反比
A.) Bi、Be均与 r 成正比(B) Bi与 r 成反比,
B.e与 r 成正比(
C.) Bi、Be均与 r 成反比(
D.) Bi与 r 成正比,Be与 r 成反比
题目解答
答案
答案:
D
解析
本题考查安培环路定理在无限长直载流圆柱体中的应用,核心在于区分电流分布对磁场的影响。关键点在于:
- 圆柱体内(r < R):电流密度均匀分布,环路包围的电流与半径平方成正比,导致磁场与r成正比。
- 圆柱体外(r > R):环路包围总电流,磁场与r成反比。
需注意电流分布的对称性和环路积分中电流的计算。
圆柱体内(r < R)
-
电流计算:
电流密度均匀,单位长度电流为 $J = \frac{I}{\pi R^2}$。
半径为r的圆柱面内电流为:
$I_{\text{enc}} = J \cdot \pi r^2 = \frac{I}{\pi R^2} \cdot \pi r^2 = I \frac{r^2}{R^2}.$ -
安培环路定理:
磁场大小相同,方向沿环路切线方向,环路积分为:
$B \cdot 2\pi r = \mu_0 I_{\text{enc}}.$
代入$I_{\text{enc}}$得:
$B_i = \frac{\mu_0 I r}{2\pi R^2} \quad \Rightarrow \quad B_i \propto r.$
圆柱体外(r > R)
-
电流计算:
环路包围总电流$I_{\text{enc}} = I$。 -
安培环路定理:
同理,环路积分为:
$B \cdot 2\pi r = \mu_0 I.$
解得:
$B_e = \frac{\mu_0 I}{2\pi r} \quad \Rightarrow \quad B_e \propto \frac{1}{r}.$