下列哪个选项中,材料的耐腐蚀性并没有得到提高?A. 形成保护膜的钢B. 改变电极电位的铜C. 改善晶间腐蚀的钛D. 高温潮湿环境下保存的铁

面心立方结构的滑移面是(111),共有4 组,每组滑移面上包含 3个滑移方向,共有12 个滑移系。&由于 晶界阻滞 效应及 取向差 效应,使多晶体的变形抗力比单晶体大, 其中, 取向差 效应是多晶体加工硬化更主要的原因。9•滑移面应是面间距最 大的密排 面,滑移方向是原子最 密排 方向。10•金属塑性变形时,外力所作的功除了转化为热量之外,还有一小部分被保留在金属内部,表现为残余应力 。11. 金属的热变形是指金属材料在再结晶温度以上的加工变形,硬化和 回复再结晶 软化两个过程。12. 扩散的驱动力是 化学位梯度;再结晶的驱动力为晶后晶粒的长大的驱动力是: 晶粒长大前后的界面能差13. 晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内的扩散速度快, 这种现象叫 短路扩散14. 回复的初始阶段回复机制以 空位迁移 为主,后期以 位错攀移 为主。(方法仅供参考)晶向:空间点阵中节点列的方向。空间中任两节点的连线的方向,代表了晶体中原子列的 方向。z [110]-|||-001 ]-|||-[101]-|||-01]-|||-[oT 0] 0 010]-|||-Y-|||-[100]-|||-x 110 ]-|||-立方晶格中的晶向及指数晶面:空间中不在一直线任三个阵点的构成的平面,代表了晶体中原子列的方向z [110]-|||-001 ]-|||-[101]-|||-01]-|||-[oT 0] 0 010]-|||-Y-|||-[100]-|||-x 110 ]-|||-立方晶格中的晶向及指数z [110]-|||-001 ]-|||-[101]-|||-01]-|||-[oT 0] 0 010]-|||-Y-|||-[100]-|||-x 110 ]-|||-立方晶格中的晶向及指数圏j-9立方屋胞的(m)显面族15•材料的结合方式有共价键 、 离子键 、金属键 和范德华力四种化学键结合方式。21.细化铸件晶粒的方法有: 1、提高过冷度 2、 变质处理 3、 振动、搅拌 。22•金属液态结构特点是 近程有序 ,此结构原子团称为 晶胚 。23. 材料中质点的扩散机制主要有 间隙扩散机制 和 置换扩散机制 两种。24. 在过冷度不很大时,形核率主要受形核功因子的控制,当过冷度非常大时,形核率主要受扩散因子 的控制。1. 柏氏矢量与回路起点选择无关,但与柏氏回路的具体路径,大小有关。 (X )2 •对称倾侧晶界中同号位错垂直排列,刃型位错产生的压应力场与拉应力场可互相抵消,不产生长程应力场,其能量很低。 (V )3•非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。 (X )4.在粗糙界面和负温度梯度下易生长形成树枝状晶体。 (V )5 •虽然体心立方金属滑移系多于面心立方,但面心立方金属的可塑性好。 (X )6 •作用于位错的力只是一种组态力,它不代表位错附近原子实际所受到的力。 (V )7.回复不能使金属性能恢复到冷变形前的水平。 (V )&超塑性不靠滑移进行,而是由晶界的滑动和晶粒的转动所致。 (V )9•扩散是物质内部由于热运动导致原子或分子定向迁移的过程。 (V )10 •如果固体中不存在扩散流,则说明原子没有扩散 。 (X )11 •几何结晶学通过几何学的方法把晶体材料中的质点抽象出来并设想为结点, 念来描述晶体的结构。12 •孪晶关系指相邻两晶粒或一个晶粒内部相邻两部分沿一个公共晶面 关系。、出题形式一:名词解释,如:1 •滑移系:一个滑移面(面距最大的密排面)与其面上的一个滑移方向(原子的最密排方向)组合。2 .显微结构:在显微镜下看到的尺寸级别在 0.1~100个微米的晶体的结构。3•柯氏(Cottrell )气团:为降低交互作用能,在温度和时间许可的条件下,溶质原子倾向于聚集 到位错周围,形成比较稳定的分布。通常把溶质原子在位错周围的聚集叫柯氏气团。4•交滑移:交滑移是指两个或多个滑移面沿同一个扩散方向滑移。5 •柯肯达尔效应:将一块纯铜和纯镍对焊起来, 焊接面上嵌几根钨丝, 加热到接近熔点的高温长时间保温,再冷却。经扩散后,惰性钨丝向纯镍一侧移动了一段距离。原因是镍原子向铜一侧扩散的多,铜 原子向镍一侧扩散的少,使铜一侧伸长,镍一侧缩短。这种现象就是柯肯达效应。6、几何软化:经滑移和转动后,一些原来角度远离 45。的晶面将转到接近 45°,使滑移变得容易进行。 7•应力(材料科学或者材料力学学科所定义的) :应力定义为 单位面积上所承受的附加内力 ”。&临界晶核形核功: 形成临界晶核时自由能的变化 AG* > 0,这说明形成临界晶核是需要能量的。形成临界晶核所需的能量 AG*称为临界形核功 。9 •弹性滞后：在材料中产生给定的应力所需的应变能与那个应力对应的弹性能之间的差值。若在弹性范围内加载或去载, 应变不是瞬时达到其平衡值, 而是通过一种弛豫过程完成的, 即随时间的 延长,逐步趋于平衡值的弹性应变叫滞弹性应变。1、简要论述稀土金属微观结构和性能特点。答:稀土原子的价电子层结构比较复杂。钪和钇遵循原子构造原理,其价电子层结构分别为 3d14s2和4d15s2。57〜71号的镧系原子出现反常,它们的价电子层结构不是从 4f16s2到4f146s2,其中57La、58Ce、64Gd和71Lu原子的价电子层结构中出现 5d1。稀土原子的价电子层结构具有下列 3个明显的特点:(1)最外层是ns2电子,与周期表中s区元素的价电子层结构相似,是活泼金属。 (2)次外层是(n — 1)d0 〜1(n— 1)s2(n - 1)p6 结构。 (3)次次外层是 4f0 〜14(Sc 和 Y 除外)。特点:1)稀土元素是典型的金属元素。它们的金属活泼性仅次于碱金属和碱土金属元素,而比其他金 属元素活泼。2)稀土元素能形成化学稳定的氧化物、卤化物、硫化物。 3)稀土易和氧、硫、铅等元素化合生成熔点高的化合物,因此在钢水中加入稀土,可以起到净化钢的效果。 4)稀土元素具有未充满的4f电子层结构,并由此而产生多种多样的电子能级。因此,稀土可以作为优良的荧光,激光和电 光源材料以及彩色玻璃、陶瓷的釉料。 5)稀土离子与羟基、偶氮基或磺酸基等形成结合物,使稀土广泛用于印染行业。6)稀土具有类似微量元素的性质,可以促进农作物的种子萌发,促进根系生长,促进 植物的光合作用。2、 根据下面的派一纳力公式:2G 2 aexp(1 v) (1 v)b解释晶体滑移为什么多是沿着晶体中原子密度最大的面和原子密排方向进行。 式中b为柏氏矢量的模,G:切变模量,v:泊松比,a为面间距。答:由公式可知,a最大,b最少时派-纳力最少,故滑移面应是晶面间距最大的最密排面,滑移方向 应是原子最密排方向,此方向 b一定最少。3、 用弗兰克-瑞德源机制解释位错的增值过程。答:若某滑移面上有一段刃型位错 AB,它的两端被位错网节点钉住不能运动。现沿位错 b方向加切应力,使位错沿滑移面向前滑移运动, 形成一闭合的位错环河位错环内的一小段弯曲位错线。 只要外加应力继续作用,位错环便继续向外扩张。 同时环内的弯曲位错在线张力作用下又被拉直, 恢复到原始状态, 并重复以前的运动,络绎不绝地产生新的位错环,从而造成位错的增殖,并使晶体产生可观的滑移量。4、 (1)晶体的特性;答:1)自限性;2)均一性;3)各向异性;4)对称性;5)最小内能性;6)稳定性1)晶体有整齐规则 的几何外形;2)晶体有固定的熔点,在熔化过程中,温度始终保持不变; 3)晶体有各向异性的特点。 ⑵晶体、非晶体和准晶体的结构差别。答:晶体:长程有序,短程有序; 非晶体:长程无序,短程有序;准晶体材料:长程有序不完善,短程有序;不能平移5、 ( 1)材料的分类:答:1)金属材料;2)高分子材料;3)无机非金属材料 3)陶瓷材料;4 )复合材料;5)功能材料z [110]-|||-001 ]-|||-[101]-|||-01]-|||-[oT 0] 0 010]-|||-Y-|||-[100]-|||-x 110 ]-|||-立方晶格中的晶向及指数

.不锈钢焊条型号中,字母“E”后面的数字表示熔敷金属化学成分分类代号。( )

目前锂电池行业常用的正极材料有()。A. 钴酸锂B. 锰酸锂C. 磷酸铁锂D. 三元材料

（多选题）关于天然花岗石特性的说法，正确的有（ ）。A. 呈碱性B. 高温耐火C. 密度大D. 耐久性好E. 强度高

奥氏体不锈钢的含碳量为0.02～0.03%时，则全部碳溶解在奥氏体中，即使加热至450～850℃时，也不会形成贫铬[1]区，故不会产生晶间腐蚀。

居民身份证的防伪措施,荧光油墨印刷。证件正面的浅蓝灰色写意“长城”图案采用荧光油墨印刷,在()照射下,呈绿色。A. 红外线灯B. 紫光线灯C. 紫外线灯D. 日光灯

[单选，A型题] 为取用方便，可以选用黏度较低的含水羊毛脂，含水羊毛脂是指（）A . 含10%水分的羊毛脂B . 含30%水分的羊毛脂C . 含O/W型乳化剂的羊毛脂D . 含W/O型乳化剂的羊毛脂

4. 已知45钢调质后的力学性能为：σb=620MPa，σs=350MPa，σ -1=280MPa， σ 0=450MPa，则φσ为（ ）。A. 1.6B. 2.2C. 0.24D. 0.26

习题:第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章 第八章 第九章 第十章 第十一章 答案:第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章 第八章 第九章 第十章 第十一章 3-2 略。 3-2试述位错的基本类型及其特点。 解:位错主要有两种:刃型位错和螺型位错。刃型位错特点:滑移方向与位错线垂直,符号⊥,有多余半片原子面。螺型位错特点:滑移方向与位错线平行,与位错线垂直的面不是平面,呈螺施状,称螺型位错。 3-3非化学计量化合物有何特点?为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料? 解:非化学计量化合物的特点:非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关;可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体;缺陷浓度与温度有关,这点可以从平衡常数看出;非化学计量化合物都是半导体。由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩产生金属离子过剩(n型)半导体,正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩产生负离子过剩(p型)半导体。 3-4影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些? 解:影响形成置换型固溶体影响因素: (1.离子尺寸:15%规律:1.(R-R)/R1>15%不连续。2.<15%连续。3.>40%不能形成固熔体。(2)离子价:电价相同,形成连续固熔体。 ( 3)晶体结构因素:基质,杂质结构相同,形成连续固熔体。(4)场强因素。(5)电负性:差值小,形成固熔体。差值大形成化合物。 影响形成间隙型固溶体影响因素:(1)杂质质点大小:即添加的原子愈小,易形成固溶体,反之亦然。(2)晶体(基质)结构:离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的,在一定程度上来说,结构中间隙的大小起了决定性的作用。一般晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体。(3)电价因素:外来杂质原子进人间隙时,必然引起晶体结构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位,产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。 3-5试分析形成固溶体后对晶体性质的影响。 解:影响有:(1)稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生;(2)活化晶格,形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处于高能量的活化状态,有利于进行化学反应;(3)固溶强化,溶质原子的溶入,使固溶体的强度、 硬度升高;(4)形成固溶体后对材料物理性质的影响:固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化,但一般都不是线性关系。固溶体的强度与硬度往往高于各组元,而塑性则较低,3-6说明下列符号的含义:V,V',V˙,(V'V˙),Ca˙,Ca,Ca˙˙ 解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一个单位正电荷;最邻近的NaNa空位、ClNa空位形成的缔合中心;CaCl占据K.位置,带一个单位正电荷;Ca原子位于Ca原子位置上;CaNa处于晶格间隙位置。 3-7写出下列缺陷反应式:(l)NaCl溶入CaCl+中形成空位型固溶体;(2)CaCl-溶入NaCl中形成空位型固溶体;(3)NaCl形成肖特基缺陷;(4)Agl形成弗伦克尔缺陷(Ag2+进入间隙)。 解: (1)NaClNa2’+ Cl2 + V+ (2)CaClCaNa + 2Cl + V’ (3)OV’ + V (4)AgAgV’ + Ag 3.8 MgO的密度是3.58g/cmCa,其晶格参数是0.42nm,计算单位晶胞MgO的肖特基缺陷数。 解:设有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子数为x,晶胞体积V=(4.20.3.x=ρVN0/M=3.96,单位晶胞的肖脱基缺陷数=4-x=0.04。 3-9 MgO(NaCl型结构)和Li3O(反萤石型结构)均以氧的立方密堆为基础,而且阳离子都在这种排列的间隙中,但在MgO中主要的点缺陷是肖特基缺陷,而在LiO中是弗伦克尔型,请解释原因。 解:Mg占据四面体空隙,Li占据八面体空隙。 3.10 MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。(答:6.4×10,3.5×10) 解:n/N=exp(-E/2RT),R=8.3.4,T=1000k:n/N=6.4×10－;T=1500k:n/N=3.5×103。 3-11非化学计量化合物 Fe-3O中,Fe-2.Fe=0.1,求 FeO中的空位浓度及 x值。(答: 2.25×10;0.956) 解:FexO3+2Fe2+x + 3O－ + V5’’ y 2y yFe23FeFe·O, X=1-y=1-0.0435=0.9565,Fe3+O [V2.’’]===2.22×102+ 3-12非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压.非化学计量化合物Fe0.9565O及ZnFeO的密度将发生怎么样的变化?增大还是减小?为什么? 解: Zn(g)Zni1-x + e’Zn(g) + 1/2O· = ZnO Zni2 + e’+ 1/2O ZnO[ZnO]=[e’]∴PO [Zni] ρ O(g) OO + V’’ + 2h k=[OO][ V’’][h]/PO1/2=4[OO][ V’’]3/ PO1/2 [ V2’’] ∝PO·1/6,∴ POFe [ V2-’’] ρ 3-13对于刃位错和螺位错,区别其位错线方向、伯氏矢量和位错运动方向的特点。 解:刃位错:位错线垂直于位错线垂直于位错运动方向;螺位错:位错线平行于 位错线平行于位错运动方向。 3-14图3-1是晶体二维图形,内含有一个正刃位错和一个负刃位错。 (1)围绕两个位错伯格斯回路,最后得伯格斯矢量若干? (2)围绕每个位错分别作伯氏回路,其结果又怎样? 图3-1 解:略。 3-15有两个相同符号的刃位错,在同一滑移面上相遇,它们将是排斥还是吸引? 解:排斥,张应力重叠,压应力重叠。 3-16晶界对位错的运动将发生怎么样的影响?能预计吗? 解:晶界对位错运动起阻碍作用。 3-17晶界有小角度晶界与大角度晶界之分,大角度晶界能用位错的阵列来描述吗? 解:不能,在大角度晶界中,原子排列接近于无序的状态,而位错之间的距离可能只有1、2个原子的大小,不适用于大角度晶界。 3-18从化学组成、相组成考虑,试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。align=center> 3-19试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点,列出简明表格比较。 解:固溶体、晶格缺陷、非化学计量化合物都是点缺陷,是晶体结构缺陷,都是单相均匀的固体,结构同主晶相。 热缺陷——本征缺陷;固溶体——非本征缺陷;无:受温度控制 有:搀杂量<固溶度 受温度控制 搀杂量>固溶度 受固溶度控制 3-20在面心立方空间点阵中,面心位置的原子数比立方体项角位置的原子数多三倍。原子B溶入A晶格的面心位置中,形成置换型固溶体,其成分应该是AB呢还是AB?为什么?