[填空题] 普通热处理包括（）、（）、（）和（）。

关于粉体学的描述哪些是正确的A. 库尔特法测得粒径为体积等价径B. 沉降法测得的粒径为面积等价径C. 粉体的真密度大于粒密度D. 休止角越大说明粉体流动性越好E. 加入助流剂可改善粉体的流动性，加入量越大助流效果越好

材料吸收空气中水分的性质称为：A. 吸水性B. 吸湿性C. 耐水性D. 渗透性

商陆横断面具有的性状鉴别特征是( )A. 云锦状花纹 B. 朱砂点 C. 罗盘纹 D. 星点 E. 金井玉栏

中国内地(大陆)地区居民现行有效的第二代居民身份证,是由()而成,内嵌非接触式集成电路芯片的单页卡式证件。 A. ,聚酯薄膜密封B. ,单层聚酯材料密封C. ,多层聚酯材料聚合D. ,以上答案都不对

青铜主要做轴瓦，也可做轴衬。A、正确 B、错误

钢结构防火性能差是由于当温度超过一定值时，钢材的强度将随温度升高而急剧降低。()A. 正确B. 错误

习题:第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章 第八章 第九章 第十章 第十一章 答案:第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章 第八章 第九章 第十章 第十一章 3-2 略。 3-2试述位错的基本类型及其特点。 解:位错主要有两种:刃型位错和螺型位错。刃型位错特点:滑移方向与位错线垂直,符号⊥,有多余半片原子面。螺型位错特点:滑移方向与位错线平行,与位错线垂直的面不是平面,呈螺施状,称螺型位错。 3-3非化学计量化合物有何特点?为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料? 解:非化学计量化合物的特点:非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关;可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体;缺陷浓度与温度有关,这点可以从平衡常数看出;非化学计量化合物都是半导体。由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩产生金属离子过剩(n型)半导体,正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩产生负离子过剩(p型)半导体。 3-4影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些? 解:影响形成置换型固溶体影响因素: (1.离子尺寸:15%规律:1.(R-R)/R1>15%不连续。2.<15%连续。3.>40%不能形成固熔体。(2)离子价:电价相同,形成连续固熔体。 ( 3)晶体结构因素:基质,杂质结构相同,形成连续固熔体。(4)场强因素。(5)电负性:差值小,形成固熔体。差值大形成化合物。 影响形成间隙型固溶体影响因素:(1)杂质质点大小:即添加的原子愈小,易形成固溶体,反之亦然。(2)晶体(基质)结构:离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的,在一定程度上来说,结构中间隙的大小起了决定性的作用。一般晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体。(3)电价因素:外来杂质原子进人间隙时,必然引起晶体结构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位,产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。 3-5试分析形成固溶体后对晶体性质的影响。 解:影响有:(1)稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生;(2)活化晶格,形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处于高能量的活化状态,有利于进行化学反应;(3)固溶强化,溶质原子的溶入,使固溶体的强度、 硬度升高;(4)形成固溶体后对材料物理性质的影响:固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化,但一般都不是线性关系。固溶体的强度与硬度往往高于各组元,而塑性则较低,3-6说明下列符号的含义:V,V',V˙,(V'V˙),Ca˙,Ca,Ca˙˙ 解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一个单位正电荷;最邻近的NaNa空位、ClNa空位形成的缔合中心;CaCl占据K.位置,带一个单位正电荷;Ca原子位于Ca原子位置上;CaNa处于晶格间隙位置。 3-7写出下列缺陷反应式:(l)NaCl溶入CaCl+中形成空位型固溶体;(2)CaCl-溶入NaCl中形成空位型固溶体;(3)NaCl形成肖特基缺陷;(4)Agl形成弗伦克尔缺陷(Ag2+进入间隙)。 解: (1)NaClNa2’+ Cl2 + V+ (2)CaClCaNa + 2Cl + V’ (3)OV’ + V (4)AgAgV’ + Ag 3.8 MgO的密度是3.58g/cmCa,其晶格参数是0.42nm,计算单位晶胞MgO的肖特基缺陷数。 解:设有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子数为x,晶胞体积V=(4.20.3.x=ρVN0/M=3.96,单位晶胞的肖脱基缺陷数=4-x=0.04。 3-9 MgO(NaCl型结构)和Li3O(反萤石型结构)均以氧的立方密堆为基础,而且阳离子都在这种排列的间隙中,但在MgO中主要的点缺陷是肖特基缺陷,而在LiO中是弗伦克尔型,请解释原因。 解:Mg占据四面体空隙,Li占据八面体空隙。 3.10 MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。(答:6.4×10,3.5×10) 解:n/N=exp(-E/2RT),R=8.3.4,T=1000k:n/N=6.4×10－;T=1500k:n/N=3.5×103。 3-11非化学计量化合物 Fe-3O中,Fe-2.Fe=0.1,求 FeO中的空位浓度及 x值。(答: 2.25×10;0.956) 解:FexO3+2Fe2+x + 3O－ + V5’’ y 2y yFe23FeFe·O, X=1-y=1-0.0435=0.9565,Fe3+O [V2.’’]===2.22×102+ 3-12非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压.非化学计量化合物Fe0.9565O及ZnFeO的密度将发生怎么样的变化?增大还是减小?为什么? 解: Zn(g)Zni1-x + e’Zn(g) + 1/2O· = ZnO Zni2 + e’+ 1/2O ZnO[ZnO]=[e’]∴PO [Zni] ρ O(g) OO + V’’ + 2h k=[OO][ V’’][h]/PO1/2=4[OO][ V’’]3/ PO1/2 [ V2’’] ∝PO·1/6,∴ POFe [ V2-’’] ρ 3-13对于刃位错和螺位错,区别其位错线方向、伯氏矢量和位错运动方向的特点。 解:刃位错:位错线垂直于位错线垂直于位错运动方向;螺位错:位错线平行于 位错线平行于位错运动方向。 3-14图3-1是晶体二维图形,内含有一个正刃位错和一个负刃位错。 (1)围绕两个位错伯格斯回路,最后得伯格斯矢量若干? (2)围绕每个位错分别作伯氏回路,其结果又怎样? 图3-1 解:略。 3-15有两个相同符号的刃位错,在同一滑移面上相遇,它们将是排斥还是吸引? 解:排斥,张应力重叠,压应力重叠。 3-16晶界对位错的运动将发生怎么样的影响?能预计吗? 解:晶界对位错运动起阻碍作用。 3-17晶界有小角度晶界与大角度晶界之分,大角度晶界能用位错的阵列来描述吗? 解:不能,在大角度晶界中,原子排列接近于无序的状态,而位错之间的距离可能只有1、2个原子的大小,不适用于大角度晶界。 3-18从化学组成、相组成考虑,试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。align=center> 3-19试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点,列出简明表格比较。 解:固溶体、晶格缺陷、非化学计量化合物都是点缺陷,是晶体结构缺陷,都是单相均匀的固体,结构同主晶相。 热缺陷——本征缺陷;固溶体——非本征缺陷;无:受温度控制 有:搀杂量<固溶度 受温度控制 搀杂量>固溶度 受固溶度控制 3-20在面心立方空间点阵中,面心位置的原子数比立方体项角位置的原子数多三倍。原子B溶入A晶格的面心位置中,形成置换型固溶体,其成分应该是AB呢还是AB?为什么?

居民身份证的防伪措施,荧光油墨印刷。证件正面的浅蓝灰色写意“长城”图案采用荧光油墨印刷,在()照射下,呈绿色。A. 红外线灯B. 紫光线灯C. 紫外线灯D. 日光灯

石墨烯就像一张带有()小孔的渔网 ()-|||-四边形-|||-五边形-|||-六边形-|||-十七边形