11.本征硅中掺入 ^7(cm)^-3 的砷后,半导体是 __ 型的;再掺入 ^6(cm)^-3 的硼后,半-|||-导体是 __ 型的;再掺入一定数量的金,金在半导体中的状态是 __-|||-12.金在半导体硅中是一种 __ 杂质。-|||-13.半导体中浅能级杂质的主要作用是 __ _;深能级杂质-|||-所起的主要作用是 __ 。。-|||-14.Ⅲ族、V族元素掺入半导体硅、锗以后,施主电离能 Delta (E)_(D) 和受主电离能 Delta (E)_(A) 的数值远-|||-低于禁带宽度Eg。这是因为 __ 远弱于 __ _。施主杂质和受主杂质之间的相-|||-互抵消作用称为 __ ,若出现施主浓度近似等于受主浓度的现象,则称为杂质的-|||-__ ,这时不能向导带(或价带)提供有效的 __ o-|||-15.非Ⅲ族、非V族元素在硅禁带中弓|入的施主能级E D距导带底E。 __ ,引入的-|||-受主能级EA距价带顶E __ ,这样的杂质能级称为 __ 。因为非Ⅲ族、非V-|||-族元素在硅中含量较少且能级位置 __ ,它们对硅的 __ 和 __ 的影响-|||-远不如 __ 显著。-|||-16.位错是半导体的一种缺陷,它对半导体材料和器件的性能会产生严重的影响。在棱-|||-位错的周围会导致原子间的压缩和伸张,晶格压缩区禁带宽度 __ ,伸张区禁带宽-|||-度 __-|||-17.一定温度下,晶格点原子在 __ _附近振动,少量原子获得能量挣脱周围原子束-|||-缚形成点缺陷,包括弗仑克耳缺陷、肖特基缺陷和反肖特基缺陷,由于 __ ,通常弗仑克-|||-耳缺陷密度远 __ 肖特基缺陷密度。

关于丙烯腈水相沉淀聚合说法错误的是:A. 当用水溶性引发剂引发聚合时,生成聚合物溶于水。B. 当用水溶性引发剂引发聚合时,生成聚合物不溶于水而从水相中沉淀析出C. 可称为沉淀聚合,又称为水相悬浮聚合。D. 由于纺丝前要用溶剂将聚合物溶解,又称腈纶生产二步法。

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