在Si衬底上975℃,30min预淀积磷,当衬底为0.3Ω·cm的p-Si,975℃时:①求结深和杂质总量;②若继续进行再分布,1100℃,50min,求这时的结深和表面杂质浓度。

3.一陶瓷含体积百分比为 95%的 Al2O3 (E = 380 GPa)和 5%的玻璃相(E = 84 GPa)，试计算其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有 5%的气孔，再估算其上限和下限弹性模量。

硅光电池的材料有（）等。A. 单晶硅B. 多晶硅C. 非晶硅D. 二氧化硅

金属结晶后的晶粒大小主要取决于结晶时的________和________。

【单选题】纯金属结晶的冷却曲线中，由于结晶潜热而出现结晶平台现象。这个结晶平台对应的横坐标和纵坐标表示()A. 理论结晶温度和时间B. 实际结晶温度和时间C. 时间和理论结晶温度D. 时间和实际结晶温度

由于内消旋和外消旋作用，等规聚合物有旋光性。( )

(2.0分)内光电效应多发生在半导体材料,分为()和( )。

根据刚性球模型回答下列问题:(1)以点阵常数为单位,计算体心立方、面心立方和密排六方晶体中的原子半径及四面体和八面体的间隙半径。(2 )计算体心立方、面心立方和密排六方晶胞中的原子数、致密度和配位数。 6.用密勒指数表示出体心立方、面心立方和密排六方结构中的原子密排面和原子密排方向,并分别计算这些晶面和晶 向上的原子密度。

实心圆轴的直径 d=100mm ,长 l=1m ,其两端所受外力偶矩 _(e)=14kNcdot m ,材料-|||-的切变模量 G=80GPa 。试求:-|||-(1)最大切应力及两端截面间的相对扭转角;-|||-(2)图示截面上A、B、C三点处切应力的数值及方向;-|||-(3)C点处的切应变。-|||-Me-|||-A-|||-C B-|||-0 5-|||-M。 25

若C-C键长为0.154nm, 则聚合度为1000的聚乙烯自由旋转链的均方末端距为（）A. 47.4nm2B. 71.1 nm2C. 94.8 nm2D. 142.2 nm2

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