石蜡是常来屏蔽中子的材料之一，但它有许多缺点，以下哪一项不属于石蜡屏蔽中子 时存在的缺点（）A. 易燃B. 气温高时易软化C. 对 γ 防护性能差D. 含氢量高

单选题(共13题,26.0分)-|||-12.(2.0分)PEC VD的全称是?-|||-A等等子增强化学气相沉积-|||-B 物理化学气相沉积-|||-C 化学气相沉积-|||-D 等离子刻蚀

铁芯材料的磁化特性曲线可以表征()之间的关系。 A. 磁通密度和磁通量B. 磁通密度和磁场强度C. 磁场强度和励磁电流D. 磁通量和励磁电流

【多选题】主要成膜物质又称()。A. 基料B. 胶粘剂C. 固化剂D. 填料

（3）固溶体的性质 一般，固溶体的硬度、屈服强度和抗拉强度等总是比组成它的纯金属的平均值高，随着溶质原子浓度的增加，硬度和强度也随之提高。溶质原子与溶剂原子的尺寸差别越大，所引起的晶格畸变也越大，强化效果也越好。由于间隙原子造成的晶格畸变比置换原子的大，所以其强化效果也较好。在塑性、韧性方面，如伸长率、断面收缩率和冲击功等，固溶体要比组成它的两个纯金属的平均值低，但比一般化合物要高的多。因此，综合看，固溶体比纯金属和化合物具有较为优越的综合机械性能，因此各种金属总是以固溶体为其基体相。 在物理性能方面，随着溶质原子浓度的增加，固溶体的电阻率升高，电阻温度系数下降。因此在工业上应用的精密电阻和电热材料等，都广泛应用固溶体合金。晶界的特性1).晶界处点阵畸变大，存在着晶界能。因此，晶粒的长大和晶界的平直化都能减少晶界面积，从而降低晶界的总能量，这是一个自发过程。然而晶粒的长大和晶界的平直化均需通过原子的扩散来实现，因此，随着温度升高和保温时间的增长，均有利于这两过程的进行。2).晶界处原子排列不规则，因此在常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍作用，致使塑性变形抗力提高，宏观表现为晶界较晶内具有较高的强度和硬度。晶粒愈细，材料的强度愈高，这就是细晶强化；而高温下则相反，因高温下晶界存在一定的粘滞性，易使相邻晶粒产生相对滑动。3).晶界处原子偏离平衡位置，具有较高的动能，并且晶界处存在较多的缺陷如空穴、杂质原子和位错等，故晶界处原子的扩散速度比在晶内快得多。 4).在固态相变过程中，由于晶界能量较高且原子活动能力较大，所以新相易于在晶界处优先形核。显然，原始晶粒愈细，晶界愈多，则新相形核率也相应愈高。5).由于成分偏析和内吸附现象，特别是晶界富集杂质原子情况下，往往晶界熔点较低，故在加热过程中，因温度过高将引起晶界熔化和氧化，导致"过热"现象产生。6).由于晶界能量较高、原子处于不稳定状态，以及晶界富集杂质原子的缘故，与晶内相比，晶界的腐蚀速度一般较快。这就是用腐蚀剂显示全相样品组织的依据，也是某些金属材料在使用中发生晶间腐蚀破坏的原因。层错是一种晶体缺陷，它破坏了晶体排列的周期性，引起能量升高。产生单位面积的层错所需能量为“层错能”。但层错的影响仅表现在次近邻关系，仅引起很少的点阵畸变，故层错能相对晶界能（~5×10-4J/cm2）很小（如表6-3），层错能愈小，出现层错的几率愈大。层错的边界即为不全位错。

石膏纵断面特征是A.具纤维状纹理，显绢丝样光泽B.具横向波状纹理，有绢丝样光泽C.较光滑，无纹理，有金属光泽D.较光滑，有横向平行纹理，有金属光泽E.凸凹不平，有蜡样光泽

粉体的流动性可用下列哪项评价A. .接触角B. .休止角C. .吸湿性D. .释放速度E. .比表面积

18、［多选题］人类历史上的每一次科技革命都与材料的发展息息相关，而新材料 的研制却是颇为不易的，人工智能可以借助数据共享，对先进材料的物理化学性 质进行预测筛选，从而加快新材料的合成和生产，作为人工智能的一个分支，机 器学习算法“”在辅助新材料设计时尤为 得力 ，其工作过程主要包括 描述符“”生成、模型构建和验证、材料预测、实验验证等步骤。人工智能辅助新材料研发 的过程表明（）。A. 科学研究能够任意改变物质的性质结构B. 人工智能能够取代人类对物质世界的认识C. 人类对物质的认识是一个不断深化的过程D. 具体的物质结构和性质的变化并不改变世界的物质性

下列关于熔融指数的说法正确的是A. 塑料工业用熔融指数，橡胶工业用门尼粘度来表示高聚物的流动性B. 同一种高聚物， MI 越高，说明其流动性越好C. 不同种高聚物，虽然控制条件不同，仍然可以比较流动性好坏D. MI 既反映高聚物流动性大小，又与分子量密切相关

[单选，A型题] 粉体的充填性可用下列参数评价（）A . 接触角B . 吸湿性C . 空隙率D . 比表面积